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申请/专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日：2014-05-28
公开（公告）日：2018-06-26
公开（公告）号：CN105225933B
专利技术分类：.......应用掩膜的[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种掺杂方法，包括以下步骤：在第一导电类型衬底的背面扩散掺杂形成第二导电类型掺杂层，并且在扩散掺杂的过程中在该第二导电类型掺杂层的背面形成氧化层；蚀刻预定区域的氧化层直至暴露出该第一导电类型衬底并由此在该第一导电类型衬底的背面中形成凹槽；向该凹槽中注入第一导电类型离子以形成第一导电类型掺杂区域；在该第一导电类型衬底的正面形成第一导电类型掺杂层。本发明利用了热扩散工艺中形成的氧化层作为掩膜，来实现后续离子注入的局部掺杂，由此，无需额外形成掩膜，整体工艺极为简单，连贯性很强。
专利权项：1.一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1：在第一导电类型衬底的背面扩散掺杂形成第二导电类型掺杂层，并且在扩散掺杂的过程中在该第二导电类型掺杂层的背面形成氧化层；S2：蚀刻预定区域的氧化层直至暴露出该第一导电类型衬底并由此在该第一导电类型衬底的背面中形成凹槽；S3：向该凹槽中注入第一导电类型离子以形成第一导电类型掺杂区域；S4：在该第一导电类型衬底的正面形成第一导电类型掺杂层。
百度查询： 上海凯世通半导体股份有限公司 掺杂方法
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