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申请/专利权人:西铁城电子株式会社
申请日:2014-03-04
公开(公告)日:2017-07-07
公开(公告)号:CN106937446A
专利技术分类:
专利摘要:发光装置、照明方法、设计方法、驱动方法、制造方法。发光装置具有发光要素,并且具有下述A或B,从该发光装置射出的下述φSSLλ同时满足条件1和条件3’,A:发光装置内置有M个M为2以上的自然数发光区域,在所述发光区域内具有所述发光要素,设在该发光装置的主辐射方向上从各发光区域射出的光的分光分布为φSSLNλN为1~M,从所述发光装置在该辐射方向上射出的全部光的分光分布φSSLλ为SSL=N=1MSSLN]]B:发光装置具有所述发光要素和控制要素,设波长为λnm,设从该发光要素在主辐射方向上射出的光的分光分布为Φelmλ、从该发光装置在主辐射方向上射出的光的分光分布为φSSLλ,Φelmλ不满足条件1和条件3’中的至少任意一方。
专利权项:一种发光装置,其具有发光要素,并且具有下述A或B,其特征在于,从该发光装置射出的下述φSSLλ同时满足下述条件1和条件3’,A:发光装置内置有M个发光区域,在所述发光区域内具有所述发光要素,其中,M为2以上的自然数,设在该发光装置的主辐射方向上从各发光区域射出的光的分光分布为φSSLNλ,N为1~M,从所述发光装置在该辐射方向上射出的全部光的分光分布φSSLλ为SSL=N=1MSSLN]]B:发光装置具有所述发光要素和控制要素,设波长为λnm,设从该发光要素在主辐射方向上射出的光的分光分布为Φelmλ、从该发光装置在主辐射方向上射出的光的分光分布为φSSLλ,Φelmλ不满足下述条件1和条件3’中的至少任意一方,条件1:从所述发光装置射出的光在主辐射方向上包含与ANSI C78.377中定义的黑体辐射轨迹之间的距离DuvSSL为‑0.0350≤DuvSSL<0的光,条件3’:设在数学上假设了在该辐射方向上射出的光的照明时#01~#15的下述15种修正蒙赛尔色卡在CIE 1976L*a*b*颜色空间中的a*值、b*值分别为a*nSSL、b*nSSL,其中,n为1~15的自然数,设在数学上假设了根据在该辐射方向上射出的光的相关色温TSSLK而选择的基准光的照明时这15种修正蒙赛尔色卡在CIE 1976L*a*b*颜色空间中的a*值、b*值分别为a*nref、b*nref,其中n为1~15的自然数的情况下,饱和度差ΔCn满足‑3.8≤ΔCn≤18.6,n为1~15的自然数,其中,ΔCn=√{a*nSSL2+b*nSSL2}‑√{a*nref2+b*nref2}15种修正蒙赛尔色卡
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