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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日：2011-10-19
公开（公告）日：2014-11-05
公开（公告）号：CN103060772B
专利技术分类：.以镀覆方法为特征的（C23C16/04优先）[2006.01]
专利摘要：一种化学气相沉积装置、化学气相沉积方法，所述化学气相沉积装置包括：腔体，设置有进气口，所述进气口用于通入反应气体；射频信号源，位于所述腔体外，用于提供激发等离子体的射频信号；上电极，位于所述腔体内，所述上电极设置有射频信号输入点，所述射频信号源通过所述射频信号输入点向所述上电极加载射频信号；下电极，位于所述腔体底部且接地；线圈组，与所述射频信号输入点的位置相对应，所述线圈组内通有控制电流，用于形成电磁场，所述电磁场用于使靠近射频信号输入点区域的等离子体向远离射频信号输入点的方向偏转。所述化学气相沉积装置可以提高薄膜的均匀性。
专利权项：一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：腔体，设置有进气口，所述进气口用于通入反应气体；射频信号源，位于所述腔体外，用于提供激发等离子体的射频信号；上电极，位于所述腔体内，所述上电极设置有射频信号输入点，所述射频信号源通过所述射频信号输入点向所述上电极加载射频信号；下电极，位于所述腔体底部且接地；线圈组，与所述射频信号输入点的位置相对应，所述线圈组内通有控制电流，用于形成电磁场，所述电磁场用于使靠近射频信号输入点区域的等离子体向远离射频信号输入点的方向偏转；所述进气口位于腔体顶部中心位置，所述上电极位于所述进气口的下方，所述射频信号输入点位于所述上电极的中心位置，所述线圈组设置于所述进气口的下方，所述线圈组用于使腔体中心区域的等离子体向腔体内周边区域偏转；所述化学气相沉积装置还包括气体扩散板，所述上电极装配于所述气体扩散板的底部，所述线圈组放置于所述气体扩散板的上方且与所述气体扩散板相接触；所述线圈组包括靠近腔体中心区域的内线圈和位于内线圈周边的外线圈。
百度查询： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 化学气相沉积装置、化学气相沉积方法
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