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申请/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日：2004-01-13
公开（公告）日：2006-07-12
公开（公告）号：CN2796101Y
专利技术分类：..其衬底为半导体的[2006.01]
专利摘要：本实用新型公开了一种金属－电介质－金属电容，旨在提供一种可增大单位硅片面积的电容容量的金属－电介质－金属电容。其技术方案的要点是：包括下部电极、电介质膜、上部电极，在制作电容的区域上的层间膜上设置有凹槽，在所述凹槽上设置下部电极；在所述下部电极上设有所述电介质膜，在所述电介质膜上设有所述上部电极。
专利权项：1、一种金属-电介质-金属电容，包括下部电极、电介质膜、上部电极，其特征在于：在制作电容的区域上的层间膜上设置有凹槽，在所述凹槽上设置下部电极；在所述下部电极上设有所述电介质膜，在所述电介质膜上设有所述上部电极。
百度查询： 上海华虹NEC电子有限公司 金属－电介质－金属电容
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