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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2009-09-23
公开（公告）日：2012-10-03
公开（公告）号：CN102021526B
专利技术分类：..镀覆工艺的控制或调节[2006.01]
专利摘要：一种靶材及设定靶材元素配比方法，其中设定靶材元素配比方法包括：提供第一靶材，所述第一靶材包括第一元素和第二元素；采用所述第一靶材在衬底上形成薄膜；测量在衬底不同区域的所述薄膜的元素配比数据；根据所述衬底不同区域的所述薄膜的元素配比数据，设定与衬底区域对应的靶材区域的元素配比，形成第二靶材。本发明提供的设定靶材元素配比方法和靶材能够降低靶材中贵重金属的含量，降低靶材的成本，并且能够提高靶材形成的薄膜的元素均一性。
专利权项：一种靶材，其特征在于，包括：所述靶材包括靶材坯料；所述靶材坯料包括第一元素和第二元素，所述靶材第一元素为镍，所述第二元素为铂；所述靶材坯料包括多重区域，所述靶材坯料包括多重区域为以靶材的中心为圆心将靶材划分为3个区域，所述靶材的中心区域为150毫米±10毫米的圆形，所述靶材的中间区域为直径为300毫米±20毫米去除中心区域的圆环，所述靶材的边缘区域为450毫米±30毫米去除中心区域和中间区域的圆环；所述靶材的中心区域的铂元素百分比为6％，镍元素百分比为94％；所述靶材的中间区域的铂元素百分比为5％，镍元素百分比为95％；所述靶材的边缘区域的铂元素百分比为4.97％，镍元素百分比为95.03％。
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 靶材及设定靶材元素配比方法
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