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申请/专利权人:中科钢研节能科技有限公司;上海大革智能科技有限公司
申请日:2017-09-06
公开(公告)日:2018-07-27
公开(公告)号:CN207659560U
专利技术分类:..碳化物[2006.01]
专利摘要:本实用新型涉及碳化硅长晶领域,公开了一种坩埚盖和坩埚,所述坩埚盖的上表面形成有凹槽1,所述凹槽1内可拆卸地设置有一个或多个温度调节片2,所述温度调节片2上形成有贯穿上下表面的通孔3。本实用新型中,仅仅通过调节坩埚盖的凹槽中的温度调节片的数量,达到灵活调节热场的温度梯度,大大节约了生长碳化硅的成本。
专利权项:1.一种坩埚盖,其特征在于,所述坩埚盖的上表面形成有凹槽1,所述凹槽1内可拆卸地设置有一个或多个温度调节片2,所述温度调节片2上形成有贯穿上下表面的通孔3。
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