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申请/专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日：2017-07-24
公开（公告）日：2018-01-12
公开（公告）号：CN107578998A
专利技术分类：......晶体管[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种IGBT芯片制造方法及IGBT芯片，其中，IGBT芯片制造方法包括：在N型掺杂硅片衬底的表面淀积多晶硅层；在所述多晶硅层的图形中通过多次离子注入和高温推结的方式形成P阱层。本发明通过多次离子注入和高温推结的方式形成P阱层，这样在N区下方的P阱拥有更高的浓度，更加有利于改善抗闩锁能力，从而解决了现有技术中IGBT芯片在过电流关断过程中，容易发生动态闩锁现象的问题，提高了IGBT在过电流关断过程中的抗闩锁能力，同时背面采用局部掺杂或者氧化层隔离的方式，降低有源区边缘的电流集中，提高IGBT的过流关断能力。
专利权项：一种绝缘栅双极型晶体管IGBT芯片制造方法，其特征在于，包括：在N型掺杂硅片衬底的表面淀积多晶硅层；在所述多晶硅层的图形中通过多次离子注入和高温推结的方式形成P阱层。
百度查询： 全球能源互联网研究院有限公司 IGBT芯片制造方法及IGBT芯片
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