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申请/专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日：2015-11-30
公开（公告）日：2017-06-09
公开（公告）号：CN106816377A
专利技术分类：......晶体管[2006.01]
专利摘要：本发明提供的IGBT背面制作方法及IGBT，包括：在第一背面上依次沉积第一半导体薄膜层和电介质层；光刻和刻蚀第二区域的第一半导体薄膜层和电介质层，并保留第一区域的第一半导体薄膜层和电介质层；沉积第二半导体薄膜层，光刻和刻蚀第二半导体薄膜层和电介质层，并保留第二区域的第二半导体薄膜层；沉积背面金属电极。本发明利用第一半导体薄膜层和第二半导体薄膜层分别与第一背面间的带隙差来调节载流子注入效率和导通压降，工作时，第一半导体薄膜层的带隙比第一背面的带隙高，载流子注入效率高，器件导通压降低，关断时，第二半导体薄膜层的带隙比第一背面的带隙低，载流子的抽取速率快，使器件快速关断，降低关断损耗，提高器件工作频率。
专利权项：一种IGBT背面制作方法，其特征在于，包括：在第一背面上依次沉积第一半导体薄膜层和电介质层，并将第一背面划分成第一区域与第二区域；光刻和刻蚀第二区域的第一半导体薄膜层和电介质层，并保留第一区域的第一半导体薄膜层和电介质层，以获得第二背面；在第二背面沉积第二半导体薄膜层，其中，第一背面的带隙介于第一半导体薄膜层的带隙与第二半导体薄膜层的带隙之间；光刻和刻蚀覆盖在第一半导体薄膜层上的第二半导体薄膜层和电介质层，并保留第二区域的第二半导体薄膜层，以获得第三背面；在第三背面沉积背面金属电极。
百度查询： 株洲中车时代电气股份有限公司 IGBT背面制作方法及IGBT
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