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申请/专利权人：武汉电信器件有限公司
摘要：本发明公开了一种和共面波导集成的侧面进光的10GbsAPD管芯及其制作工艺，涉及一种和共面波导集成的侧面进光的10GbsAPD，尤其涉及一种二台阶连体式管芯的结构及其制作工艺。本管芯整体结构为一种和共面波导集成的、二台阶连体式管芯，从下到上，InP掺铁的半绝缘衬底、下台阶和上台阶依次连接；本管芯制作工艺包括MOCVD外延，PECVD，光刻与化学腐蚀，化学清洗，扩散，反应离子刻蚀，电子束蒸发，金属剥离，钝化处理，管芯分离；制作工艺最重要的是化学腐蚀和管芯分离。本管芯是高速率、长距离光通信系统的关键光电子器件；管芯和共面波导一体化设计与制作，不仅简化了工艺，降低了成本，而且减少了传输损耗，容易阻抗匹配；本发明解决了侧面进光面的平整性问题。
主权项：1、一种和共面波导集成的侧面进光的10GbsAPD管芯，其特征在于：本管芯整体结构为一种和共面波导集成的、二台阶连体式管芯，从下到上，InP掺铁的半绝缘衬底10、下台阶和上台阶依次连接；所述上台阶的结构是：从下到上，由依次连接的InAlAs下接触层7、InAlAs电倍增层6、InAlAs过渡及电荷层5、InGaAs光吸收层4、InAlAs上接触层3、InGaAs顶层2构成；上台面为梯形13-方形14-梯形13组合形状；所述下台阶的结构是：从上到下，由相互连接的SiO2+SiNx复合介质保护膜8、InP缓冲层9构成；下台面为长方形；在上台面和下台阶上分别设置P型电极和N型电极，上台面的P型电极和信号线1相连，下台阶的两个N型电极分别和两根地线11相连；所述的APD即雪崩光电二极管。
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权利要求：
百度查询： 武汉电信器件有限公司 和共面波导集成的侧面进光的10Gb/sAPD管芯及其制作工艺
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