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申请/专利权人：佳能株式会社
申请日：2019-09-24
公开（公告）日：2024-09-10
公开（公告）号：CN110970447B
专利技术分类：.包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L31/14；光导与光电元件的耦合入G02B6/42）[2006.01]
专利摘要：本申请涉及光检测设备和光检测系统。提供了光检测设备和包括光检测设备的光电转换系统，光检测设备包括雪崩二极管，雪崩二极管包括设置在第一深度处的具有第一导电类型的第一半导体区域、设置在相对于第一表面比第一深度深的第二深度处的具有第二导电类型的第二半导体区域、设置在相对于第一表面比第二深度深的第三深度处并且与第二半导体区域接触的第三半导体区域以及各自从第一深度延伸到第三深度的第一分离区域和第二分离区域。第二半导体区域和第三半导体区域各自从第一分离区域延伸到第二分离区域。第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域在平面图中具有彼此重叠的部分。
专利权项：1.一种光检测设备，其特征在于，包括：半导体基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及像素区域，在像素区域中多个像素布置在半导体基板上，每个像素包括雪崩二极管，在截面图中，其中雪崩二极管包括：第一导电类型的第一半导体区域，设置在第一深度处；第二导电类型的第二半导体区域，设置在相对于第一表面比第一深度深的第二深度处；第一导电类型的第三半导体区域，设置在相对于第一表面比第二深度深的第三深度处并且与第二半导体区域接触；以及第一分离区域和第二分离区域，各自从第一深度延伸到第三深度，其中第二半导体区域具有第一部分和第二部分，其中第二半导体区域的第一部分与第一半导体区域形成雪崩倍增区域；其中第二半导体区域从第一分离区域连续地延伸到第二分离区域，其中，在平面图中第一半导体区域的面积小于第二半导体区域的面积，其中第一半导体区域、第二半导体区域的第一部分和第三半导体区域在平面图中具有彼此重叠的部分，以及其中所述第一部分的杂质浓度与所述第二部分的杂质浓度相同。
百度查询： 佳能株式会社 光检测设备和光检测系统
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