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申请/专利权人：艾尔瓦特集成电路科技（天津）有限公司
申请日：2012-12-06
公开（公告）日：2014-06-11
公开（公告）号：CN103856207A
专利技术分类：..仅使用场效应晶体管的[2006.01]
专利摘要：提供了设置于集成电路内部的电平转换电路和电平转换方法。该电平转换电路包括：N型MOS管，其栅极连接至集成电路的工作电压，其漏极可操作以接收来自集成电路外部或前一电压域的电压信号；电阻性元件，其一端连接于工作电压，另一端连接于N型MOS管的源极；以及数字缓冲器，其输入端连接于N型MOS管的源极，其工作电压端连接至恒流源，其输出端可操作以输出电压输出信号，该电压输出信号的逻辑状态随该电压输入信号的逻辑状态变化。利用该电平转换电路和方法，在存在电压输入信号时，能输出逻辑状态随电压输入信号的逻辑状态变化的电压输出信号；在不存在电压输入信号时，能使得电压输出信号的逻辑高状态的电平与集成电路的所述工作电压相同。
专利权项：一种设置于集成电路内部的电平转换电路，包括：一个N型MOS管，其栅极连接至所述集成电路的工作电压，其漏极可操作以接收所述集成电路外部或前一电压域的电压输入信号；一个电阻性元件，其一端连接于所述工作电压，另一端连接于所述N型MOS管的源极；以及一个数字缓冲器，其输入端连接于所述N型MOS管的所述源极，其工作电压端连接至一个恒流源，其输出端可操作以输出电压输出信号，所述电压输出信号的逻辑状态随所述电压输入信号的逻辑状态而变化。
百度查询： 艾尔瓦特集成电路科技（天津）有限公司 电平转换电路和电平转换方法
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