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申请/专利权人：南开大学;天津普兰纳米科技有限公司
申请日：2010-12-06
公开（公告）日：2012-11-14
公开（公告）号：CN102781831A
专利技术分类：
专利摘要：提供一种制备寡层石墨的方法，包括以下步骤：1将两个碳电极设置为阴极和阳极；以及2在包含惰性气体和对碳具有一定反应性的气体的混合气体气氛下，对两极施加电压。还提供一种制备寡层石墨薄膜的方法，包括以下步骤：1将寡层石墨固体直接涂抹成膜，或将寡层石墨固体与溶剂混合制成溶液进行涂覆，以及2将形成的膜在惰性或还原性气体中加热还原。
专利权项：PCT国内申请，权利要求书已公开。
百度查询： 南开大学 天津普兰纳米科技有限公司 寡层石墨及寡层石墨薄膜的制备方法
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