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申请/专利权人:恒景科技股份有限公司
申请日:2013-07-26
公开(公告)日:2015-02-11
公开(公告)号:CN104349085A
专利技术分类:
专利摘要:本发明提供一种黑阶调整方法,用于具有像素阵列的互补金属氧化物半导体CMOS影像传感器,所述像素阵列包括多个暗行及多个活动行。所述黑阶调整方法包括下列步骤:计算来自所述多个暗行的多个像素的平均值,其中所述平均值包括整数部分及小数部分;依据所述整数部分计算黑阶控制偏移值;依据所述小数部分产生混色遮罩;将所述混色遮罩应用至所述多个活动行的多个像素;以及将所计算的所述黑阶控制偏移值加至来自所述多个活动行中已混色后的所述多个像素以产生多个结果像素。
专利权项:一种黑阶调整方法,用于具有像素阵列的互补金属氧化物半导体CMOS影像传感器,所述像素阵列包括多个暗行及多个活动行,所述黑阶调整方法包括下列步骤:计算来自所述多个暗行的多个像素的平均值,其中所述平均值包括整数部分及小数部分;依据所述整数部分计算黑阶控制偏移值;依据所述小数部分产生混色遮罩;将所述混色遮罩应用至所述多个活动行的多个像素;以及将所计算的所述黑阶控制偏移值加至来自所述多个活动行中已混色后的所述多个像素以产生多个结果像素。
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