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煅烧室和煅烧工艺专利

发布时间:2018-12-18 11:41:17 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 煅烧室和煅烧工艺

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申请/专利权人:美亚知识产权有限公司

申请日:2011-07-26

公开(公告)日:2013-05-22

公开(公告)号:CN103118978A

专利技术分类:..卤化硅烷[2006.01]

专利摘要:在可密封的坩埚中以搅拌方式来加热能够通过热分解产生有毒和或腐蚀性气体的固体材料。搅拌棒支撑在向下延伸的轴上,这可使用唇缘密封件或其它机械密封件与铁磁密封件或旋转馈通的组合来实现。排空唇缘密封区,从而使少量的向上腐蚀性气体流不与铁磁流体的成分起有害反应。在用于煅烧氟硅酸钠以产生四氟化硅气体的工艺中,净化和或清空所述唇缘密封件和铁磁流体密封区,以防止在初始干燥阶段期间吸收水。高纯度腐蚀性气体可通过在高温下分解前驱物固体产生,所述高纯度腐蚀性气体的合成工艺的优选实施例逐次使用干式真空泵和压缩机,以便在所述腐蚀性气体填充储存容器时对所述气体进行压缩。因此,防止水与四氟化硅起反应而产生腐蚀性的氟化氢气体。

专利权项:一种用于合成四氟化硅的工艺,所述工艺包括以下步骤:a提供具有可密封的搅拌棒的可加热室,b用固体氟硅酸钠来装填所述室,c搅拌所述固体氟硅酸钠,d将所述氟硅酸钠SFS加热到至少高于约100℃,e将水从所述室去除,f将所述氟硅酸钠SFS加热到至少约500℃,g四氟化硅SiF4从所述室去除,h其中所述可密封的搅拌棒通过铁磁流体密封件与所述室的外部隔离,且所述室的内部通过唇缘密封件与所述铁磁流体密封件隔离。

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