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申请/专利权人：张国飙
申请日：2003-03-19
公开（公告）日：2008-04-23
公开（公告）号：CN100383664C
专利技术分类：
专利摘要：本发明提出的低成本光刻技术基于两种方案：1.使用低精度的nF开口掩模版开口大小～nF，n＞1形成高精度的开口类图形开口大小～1F；2.通过使用运算型光刻系统和或光刻编程系统来提高掩模版的再使用率。它可以用来实现光刻编程集成电路等。低成本光刻技术中的图形分布还能应用到高精度掩模版中，实现高阶修正掩模版即对掩模版图形进行高阶修正和掩模版的冗余修复即通过冗余掩模图形来修复有缺陷的掩模版。
专利权项：1.一种具有基于nF开口掩模版的互连线层间连接aiv的集成电路，其特征在于含有：一低层互连线331；一高层互连线311；一位于该低层互连线和该高层互连线之间、并为之提供连接的层间连接aiv321a，该aiv的特征在于：在沿该高层互连线311的方向上，该aiv321a的尺寸11a大于该低层互连线331的宽度1wl。
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