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申请/专利权人：四川和芯微电子股份有限公司

申请日：2011-12-06

公开（公告）日：2014-03-26

公开（公告）号：CN102427359B

专利技术分类：..应用半导体器件的（H03K19/173优先；其中半导体器件仅是二极管整流器的入H03K19/12）[2006.01]

专利摘要：一种插值电路，包括偏置产生模块、由电流源子模块及负载电阻子模块组成的负载模块、第一时钟控制模块、第二时钟控制模块及输出模块，第一时钟控制模块包括第一输入子模块、第一源端负反馈子模块、第一多路开关子模块及第一多路电流沉子模块，偏置产生模块包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管及偏置电流端，电流源子模块包括第四场效应管及第五场效应管，负载电阻子模块包括第一电阻及第二电阻，第一输入子模块包括第六场效应管及第七场效应管，第一源端负反馈子模块包括第三电阻及第一电容，第一多路开关子模块包括第一组及第二组开关，第一多路电流沉子模块包括第一组及第二组场效应管。本发明还提供一种插值系统。本发明结构简单。

专利权项：一种插值电路，其特征在于：所述插值电路包括一偏置产生模块、一负载模块、一与所述偏置产生模块及所述负载模块相连的第一时钟控制模块、一与所述偏置产生模块及所述负载模块相连的第二时钟控制模块及一输出模块，所述负载模块包括一电流源子模块及一负载电阻子模块，所述第一时钟控制模块包括一第一输入子模块、一第一源端负反馈子模块、一第一多路开关子模块及一第一多路电流沉子模块，所述第二时钟控制模块与所述第一时钟控制模块为对称结构，所述偏置产生模块包括一第一场效应管、一与所述第一场效应管相连的第二场效应管、一与所述第二场效应管相连的第三场效应管及一与所述第一场效应管相连的偏置电流端，所述电流源子模块包括一第四场效应管及一与所述第四场效应管相连的第五场效应管，所述负载电阻子模块包括一与所述第四场效应管相连的第一电阻及一与所述第五场效应管相连的第二电阻，所述第一输入子模块包括一第六场效应管及一与所述第六场效应管相连的第七场效应管，所述第一源端负反馈子模块包括一连接于所述第六场效应管与所述第七场效应管之间的第三电阻及一与所述第三电阻并联连接的第一电容，所述第一多路开关子模块包括一第一组开关及一与所述第一组开关并联连接的第二组开关，所述第一多路电流沉子模块包括一与所述第一组开关相连的第一组场效应管及一与所述第二组开关相连的第二组场效应管，所述第六场效应管的栅极与所述第七场效应管的栅极相连，所述第六场效应管的源级与所述第三电阻的一端、所述第一电容的一端及所述第一组开关内每一开关的一端相连，所述第六场效应管的漏极与所述第四场效应管、第一电阻及第二时钟控制模块连接，所述第七场效应管的源极与所述第三电阻的另一端、所述第一电容的另一端及所述第二组开关内每一开关的一端相连，所述第七场效应管的漏极与所述第五场效应管、第二电阻及第二时钟控制模块连接，所述第一组开关内每一开关的另一端分别与所述第一组场效应管内对应的场效应管的漏极相连，所述第二组开关内每一开关的另一端分别与所述第二组 场效应管内对应的场效应管的漏极相连，所述第一组场效应管内每一场效应管的栅极、所述第二组场效应管内每一场效应管的栅极均分别与所述第三场效应管的栅极及漏极连接，所述第一组场效应管内每一场效应管的源极、所述第二组场效应管内每一场效应管的源极均与接地端连接。

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