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申请/专利权人：英飞凌科技双极有限责任合伙公司
申请日：2010-09-28
公开（公告）日：2012-09-12
公开（公告）号：CN102668088A
专利技术分类：....晶闸管型器件，如具有四区再生作用的[2006.01]
专利摘要：本发明涉及一种晶闸管，其包括一个半导体本体1，其排列如下：沿垂直方向v从背面14到前端面13有一p混杂发射极8、一n混杂基极7、一p混杂基极6和一n混杂发射极5按先后排列。进一步地，还提供一个包括至少一个点燃级别AG1，AG2，AG3，AG4的一个点燃级别结构AG，每个点燃级别包括一个n混杂点燃级别发射极51，52，53，54，这些发射极嵌在p混杂基极6上并从n混杂发射极5中分离出来。一个点燃级别电极42与点燃级别发射极51，52，53，54中的一个52在前端面13上相接触，并且具有一个与后者相接触的第一接触面421。在第二接触面422上点燃级别电极42与朝向n混杂发射极5的前端面13上的点燃级别发射极52一边的p混杂基极6相接触。第二个接触面422既与第一接触面421又与一个点燃级别发射极52相隔开。
专利权项：晶闸管及一个半导体1，其中纵向v从背面14到与其14相对的正面13，按序叠放一个p型杂质射极8，一个n型杂质7，一个p型杂质基极6和一个n型杂质射极5，并表现出以下特征：点火结构AG至少含有一个点火阶段AG1，AG2，AG3，AG4，其各被一个n型杂质射极5隔开，被一个n型点火阶段射极51，52，53，54包裹，而其被置于一个p型杂质基极6内；一个电极42与正面13的点火阶段射极52，53，54中的52相接，且此连接为第一个接触面421，该电极使在转向n型杂质射极5面上的p型杂质基极6和在正面13的点火阶段射极中的射极52在第二接触面422相接，第二个接触面422既与第一接触面421又与点火阶段射极中的射极52相隔。
百度查询： 英飞凌科技双极有限责任合伙公司 具有分离点火阶段的点火阶段晶闸管
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