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申请/专利权人：英飞凌科技双极有限责任合伙公司

申请日：2010-09-28

公开（公告）日：2015-08-05

公开（公告）号：CN102668088B

专利技术分类：....晶闸管型器件，如具有四区再生作用的[2006.01]

专利摘要：本发明涉及一种晶闸管，其包括一个半导体本体1，其排列如下：沿垂直方向v从背面14到前端面13有一p混杂发射极8、一n混杂基极7、一p混杂基极6和一n混杂发射极5按先后排列。进一步地，还提供一个包括至少一个点燃级别AG1，AG2，AG3，AG4的一个点燃级别结构AG，每个点燃级别包括一个n混杂点燃级别发射极51，52，53，54，这些发射极嵌在p混杂基极6上并从n混杂发射极5中分离出来。一个点燃级别电极42与点燃级别发射极51，52，53，54中的一个52在前端面13上相接触，并且具有一个与后者相接触的第一接触面421。在第二接触面422上点燃级别电极42与朝向n混杂发射极5的前端面13上的点燃级别发射极52一边的p混杂基极6相接触。第二个接触面422既与第一接触面421又与一个点燃级别发射极52相隔开。

专利权项：一种具有半导体1的晶闸管，其中纵向V从背面14到与其14相对的正面13，按序叠放一个p型杂质射极8，一个n型杂质基极7，一个p型杂质基极6和一个n型杂质射极5，并表现出以下特征：点火结构AG至少含有一个点火阶段AG1，AG2，AG3，AG4，其各被一个n型杂质射极5隔开，被一个n型点火阶段射极51，52，53，54包裹，而且被置于一个p型杂质基极6内；一个电极42，该电极在所述正面13与所述点火阶段射极51，52，53，54中的其中一个点火阶段射极52相接，且此连接为第一接触面421，该电极使在转向n型杂质射极5面上的p型杂质基极6和在正面13的点火阶段射极中的射极52在第二接触面422相接，该第二接触面422既与第一接触面421相隔又与点火阶段射极中的射极52相隔，其中所述p型杂质基极6通过第一分段61，第二分段62和第三分段63而具有整个段60，其中‑所述第一分段61和第三分段63的净掺杂物浓度高于第二分段62；‑所述第二分段62与第一分段61和第三分段63相连；并且‑所述点火阶段射极51，52，53，54中的射极52和第一分段61之间建立起一个pn‑过渡区521；其中所述净掺杂物浓度顺着垂直于竖向v的第一、二、三、四轴a1，a2，a3，a4具有间隔开的第一、二、三局部最大值E1，E2，E2’中的至少两个，在该局部最大值处导电类型为“p”；其中沿着垂直于竖向v的第三、四轴a3，a4在第一、二局部最大值E1，E2之间布置有所述n型杂质基极7的部段，其特征在于，所述第一接触表面421仅仅与多个点火阶段射极中的其中一个射极52相接触。

百度查询： 英飞凌科技双极有限责任合伙公司 具有分离点火阶段的点火阶段晶闸管