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申请/专利权人：信越半导体股份有限公司;信越化学工业株式会社
申请日：2014-01-30
公开（公告）日：2015-10-28
公开（公告）号：CN105008278A
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供一种碳化硅的制造方法，所述方法是在硅晶制造装置内设置碳材加热器，并在非氧化性环境下，通过所述碳材加热器加热并被容纳在容器内的硅熔体来制造硅晶，此时，在所述碳材加热器的表面附带地形成碳化硅，并通过回收该副产物碳化硅来制造碳化硅。由此，能够以低成本、低能耗来制造碳化硅。
专利权项：一种碳化硅的制造方法，其特征在于，在硅晶制造装置内设置碳材加热器，并在非氧化性环境下，由通过所述碳材加热器加热并被容纳在容器内的硅熔体来制造硅晶，此时，在所述碳材加热器的表面附带地形成碳化硅，并利用回收该副产物碳化硅来制造碳化硅。
百度查询： 信越半导体股份有限公司 信越化学工业株式会社 碳化硅的制造方法及碳化硅
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皖公网安备 34010402703815号