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申请/专利权人：住友精密工业株式会社
申请日：2016-01-27
公开（公告）日：2017-09-26
公开（公告）号：CN107210221A
专利技术分类：......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）[2006.01]
专利摘要：本发明的填充方法具备：减压工序，对处理室11内进行减压；接触工序，使填充材料3与晶片1的表面接触；填充工序，通过对填充材料的与晶片相反侧的面3a的整面进行加压，而将填充材料差压填充至晶片的微细空间2；以及煅烧工序，遍及晶片整体而煅烧填充材料。
专利权项：一种填充方法，将填充材料填充至设置于晶片的微细空间，该填充方法具备：减压工序，对载置有所述晶片的处理室内进行减压；接触工序，在经减压的所述处理室内，使所述填充材料与所述晶片的表面接触；填充工序，通过对所述填充材料的与所述晶片相反侧的面的整面进行加压，而将所述填充材料差压填充至所述晶片的所述微细空间；以及煅烧工序，遍及所述晶片的整体而煅烧所述填充材料。
百度查询： 住友精密工业株式会社 填充方法及填充装置
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