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申请/专利权人：丰田自动车株式会社
申请日：2012-02-14
公开（公告）日：2014-10-22
公开（公告）号：CN104115274A
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种IGBT的制造方法，所述IGBT具有：n型的发射区；p型的顶部体区；n型的中间区；p型的底部体区；n型的漂移区；p型的集电区；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内。该制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在绝缘膜形成之后，在半导体基板上以及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。
专利权项：一种绝缘栅双极性晶体管，具有：n型的发射区；p型的顶部体区，其被形成在发射区的下侧；n型的中间区，其被形成在顶部体区的下侧；p型的底部体区，其被形成在中间区的下侧；n型的漂移区，其被形成在底部体区的下侧；p型的集电区，其与漂移区相接；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内，并隔着绝缘膜而与发射区和漂移区之间的顶部体区、中间区以及底部体区对置，存在于两个栅电极之间的中间区的下端的深度的偏差在110nm以下。
百度查询： 丰田自动车株式会社 IGBT以及IGBT的制造方法
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