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申请/专利权人：K.C.科技股份有限公司
申请日：2005-11-15
公开（公告）日：2006-05-24
公开（公告）号：CN1777346A
专利技术分类：.等离子体的产生[2006.01]
专利摘要：本发明涉及等离子处理装置，更具体来说，涉及可提高等离子密度的均匀性，并可适用于最近基板大型化的趋势的等离子电极构造及其电极制造方法、电极冷却方法。另外，涉及利用上述等离子电极构造的等离子源及等离子处理装置、以及其控制方法。本发明的等离子源，其特征在于，具有多个单位电极单元和一对电极板，所述一对电极板使所述单位电极单元根据被处理物的宽度组装，从而被配置在所述被处理物上。另外，其特征在于，所述单位电极单元包含：单位电极板、形成在所述单位电极板上的电极、和形成在所述单位电极板的一个侧面的间隙槽。
专利权项：1.一种等离子处理装置，其特征在于，包含：向基板喷射等离子的等离子源、和向所述等离子源供给电源的电源供给装置，将在所述电源供给装置中产生高压的功率变换器、和所述等离子源一体式形成。
百度查询： K.C.科技股份有限公司 等离子电极构造、等离子源及利用它的等离子处理装置
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