买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:富士通株式会社
申请日:2004-10-29
公开(公告)日:2005-12-14
公开(公告)号:CN1707616A
专利技术分类:...使用磁阻装置的[2006.01]
专利摘要:一种具有用于使被钉扎磁性层的磁化方向固定的磁性氧化物层并且MR比较高的磁阻效应薄膜。该磁阻效应薄膜具有层叠结构,其中取向控制层、磁性氧化物层、被钉扎磁性层、非磁性中间层和自由磁性层按照该顺序层叠,其中该取向控制层是由具有氯化钠NaCl晶体结构的氧化物制成或包括具有氯化钠NaCl晶体结构的氧化物的氧化物层,该氯化钠NaCl型晶体结构的氧化物的能带宽度大于等于1eV,并且它在室温下是不可磁化的,而且其中所述磁性氧化物层是包括含钴铁氧体的氧化物层。
专利权项:1、一种具有层叠结构的磁阻效应薄膜,其中取向控制层、磁性氧化物层、被钉扎磁性层、非磁性中间层和自由磁性层按照该顺序层叠,其中,所述取向控制层是由具有氯化钠NaCl型晶体结构的氧化物制成或者包括具有氯化钠NaCl型晶体结构的氧化物的氧化物层,该氯化钠NaCl型晶体结构的氧化物的能带宽度大于或等于1eV,并且它在室温下是不可磁化的,而且其中,所述磁性氧化物层是包括含钴铁氧体的氧化物层。
百度查询: 富士通株式会社 磁阻效应薄膜和磁阻效应磁头
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。