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磁阻效应薄膜和磁阻效应磁头专利

发布时间:2019-03-11 12:01:51 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 磁阻效应薄膜和磁阻效应磁头

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申请/专利权人:富士通株式会社

申请日:2004-10-29

公开(公告)日:2005-12-14

公开(公告)号:CN1707616A

专利技术分类:...使用磁阻装置的[2006.01]

专利摘要:一种具有用于使被钉扎磁性层的磁化方向固定的磁性氧化物层并且MR比较高的磁阻效应薄膜。该磁阻效应薄膜具有层叠结构,其中取向控制层、磁性氧化物层、被钉扎磁性层、非磁性中间层和自由磁性层按照该顺序层叠,其中该取向控制层是由具有氯化钠NaCl晶体结构的氧化物制成或包括具有氯化钠NaCl晶体结构的氧化物的氧化物层,该氯化钠NaCl型晶体结构的氧化物的能带宽度大于等于1eV,并且它在室温下是不可磁化的,而且其中所述磁性氧化物层是包括含钴铁氧体的氧化物层。

专利权项:1、一种具有层叠结构的磁阻效应薄膜,其中取向控制层、磁性氧化物层、被钉扎磁性层、非磁性中间层和自由磁性层按照该顺序层叠,其中,所述取向控制层是由具有氯化钠NaCl型晶体结构的氧化物制成或者包括具有氯化钠NaCl型晶体结构的氧化物的氧化物层,该氯化钠NaCl型晶体结构的氧化物的能带宽度大于或等于1eV,并且它在室温下是不可磁化的,而且其中,所述磁性氧化物层是包括含钴铁氧体的氧化物层。

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