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申请/专利权人：格罗方德半导体公司
申请日：2016-01-26
公开（公告）日：2018-11-16
公开（公告）号：CN106057686B
专利技术分类：....封装，例如密封层、涂层[2006.01]
专利摘要：本发明涉及全晶圆边封，基本上是关于半导体装置，且更尤指在全晶圆周围建立非可渗透边封的结构及方法。边封可位于晶圆包含产品芯片的内区域与该晶圆的外区域之间。边封可包含相邻内区域的填角区域、以及相邻填角区域的介电延展部。介电延展区可不透湿气，并且由位在晶圆上的介电层及位在介电层上的覆盖层所组成。填角区域可包含直接位在晶圆上的下金属填角、位在下金属填角上的介电层、位在介电层上的上金属填角、以及位在上金属填角上的覆盖层。填角区域可相邻于在产品区域上形成的可渗透层并与其接触。
专利权项：1.一种形成边封的方法，该边封合围晶圆的产品区域并且是位于晶圆的周界，该方法包含：在该晶圆的该产品区域上形成可渗透层，其中，该可渗透层的外缘与该晶圆的外缘相隔第一间距；在该晶圆上形成横向相邻于该可渗透层并与其接触的下金属填角，其中，该下金属填角的外缘与该晶圆的该外缘相隔第二间距，其中，该第二间距小于该第一间距；在该可渗透层上、该下金属填角上、以及横向相邻于该下金属填角的晶圆的外区域上形成非可渗透介电层，其中，该非可渗透介电层的外缘与该晶圆的该外缘相隔第三间距，而且其中，该第三间距小于该第二间距；在该非可渗透介电层上形成上金属填角，其中，该上金属填角的外缘与该下金属填角的外缘垂直对准，使得该上金属填角的该外缘与该晶圆的该外缘相离该第二间距；以及在该非可渗透介电层及该上金属填角上形成覆盖层，其中，该覆盖层的外缘与该非可渗透介电层的该外缘垂直对准，使得该覆盖层的该外缘与该晶圆的该外缘相隔该第三间距。
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