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申请/专利权人：株式会社东芝
申请日：2011-03-18
公开（公告）日：2012-03-21
公开（公告）号：CN102386052A
专利技术分类：
专利摘要：本发明涉及超临界干燥方法以及超临界干燥系统。根据实施例，一种超临界干燥方法包括：向腔中引入其表面被超临界置换溶剂润湿的半导体衬底；向所述腔供应基于第一二氧化碳的第一超临界流体；在供应所述第一超临界流体之后，向所述腔供应基于第二二氧化碳的第二超临界流体；以及降低所述腔的内部压力以气化所述第二超临界流体并从所述腔排出气化的所述第二超临界流体。所述第一二氧化碳是通过回收和再生从所述腔排出的二氧化碳而产生的。所述第二二氧化碳不包含超临界置换溶剂或者所包含的所述超临界置换溶剂的浓度小于所述第一二氧化碳中所包含的所述超临界置换溶剂的浓度。
专利权项：一种超临界干燥方法，包括：向腔中引入其表面被超临界置换溶剂润湿的半导体衬底；向所述腔供应基于第一二氧化碳的第一超临界流体；在供应所述第一超临界流体之后，向所述腔供应基于第二二氧化碳的第二超临界流体，所述第二二氧化碳不包含超临界置换溶剂或者所包含的所述超临界置换溶剂的浓度小于所述第一二氧化碳所包含的所述超临界置换溶剂的浓度；降低所述腔的内部压力以气化所述第二超临界流体并从所述腔排出气化的所述第二超临界流体；以及回收和再生从所述腔排出的二氧化碳。
百度查询： 株式会社东芝 超临界干燥方法以及超临界干燥系统
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