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申请/专利权人：株式会社爱发科
申请日：2010-09-17
公开（公告）日：2015-01-21
公开（公告）号：CN102482105B
专利技术分类：..纯化（用区域熔融入C30B13/00）[2006.01]
专利摘要：本发明的硅精制方法中，使用至少具备填充金属硅的坩埚和等离子体喷枪的硅精制装置，填充在所述坩埚中的金属硅的熔融金属面与由所述等离子体喷枪喷射的等离子体气体形成的角被设定为20度以上80度以下的状态下，向着所述熔融金属面喷射所述等离子体气体，由此精制所述金属硅。
专利权项：一种硅精制方法，其特征在于，使用至少具备填充金属硅的坩埚和多个等离子体喷枪的硅精制装置， 填充在所述坩埚中的金属硅的熔融金属面与由所述等离子体喷枪喷射的等离子体气体形成的角被设定为20度以上80度以下的状态下，向着所述熔融金属面喷射所述等离子体气体，在所述熔融金属面产生回流，由此精制所述金属硅， 以在所述熔融金属面形成多个大致椭圆形的凹陷部的方式从多个所述等离子体喷枪分别喷吹等离子体气体， 在所述回流的正向喷吹所述等离子体气体， 假想地设定在圆周上具有所述多个大致椭圆形的凹陷部的圆，将该圆设为假想圆A时，该假想圆A的切线方向上且与该假想圆A的圆周的一个方向一致地从所述各等离子体喷枪分别喷吹等离子体气体， 所述大致椭圆形的凹陷部的短轴与长轴的交点位于所述假想圆A的圆周上， 在所述多个大致椭圆形的凹陷部中，全部的所述大致椭圆形的凹陷部位于所述假想圆A的所述圆周上。
百度查询： 株式会社爱发科 硅精制方法及硅精制装置
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