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申请/专利权人：三洋电机株式会社
申请日：2011-03-17
公开（公告）日：2015-12-16
公开（公告）号：CN102725857B
专利技术分类：.用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）[2014.01]
专利摘要：本发明提供一种太阳能电池，在透明导电膜的整个面上形成透光性绝缘层之后，除去透光性绝缘层时，槽的深度的控制具有余地，并且批量生产性优异。该太阳能电池具备：在n型单晶硅基板（10）的表面侧形成的n性非晶硅层（11）；在n型非晶硅层（11）上形成的表面侧透明导电膜（12）；在基板（10）的背面侧形成的p型非晶硅层（13）；和在p型非晶硅层（13）上形成的背面侧的透明导电膜（14），在表面侧的透明导电膜（12）上设置有通过镀层法形成的表面侧集电极（30），并且在背面侧透明导电膜（14）上设置通过有印刷形成的背面侧集电极（4）。
专利权项：一种太阳能电池，具备：具有第一导电型的结晶类半导体基板；设置在所述结晶类半导体基板的第一面上的具有所述第一导电型的第一非晶质半导体层；设置在所述第一非晶质半导体层上的第一集电极；设置在所述结晶类半导体基板的第二面上的具有第二导电型的第二非晶质半导体层；和设置在所述第二非晶质半导体层上的第二集电极，所述太阳能电池的特征在于：在具有与所述结晶类半导体基板相同导电型的所述第一非晶质半导体层上，依次形成第一透明导电膜和透光性绝缘层，并且所述第一集电极形成为包含设置在所述透光性绝缘层的且具有确实超过所述透光性绝缘层的深度的槽内的部分，在具有与所述结晶类半导体基板不同导电型的所述第二非晶质半导体层上，形成第二透明导电膜，并且所述第二集电极形成在所述第二透明导电膜的表面上，所述第二透明导电膜的表面中的形成有所述第二集电极的区域的表面形状与所述第二透明导电膜的表面中的其它区域的表面形状相同。
百度查询： 三洋电机株式会社 太阳能电池、使用太阳能电池的太阳能电池组件和太阳能电池的制造方法
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