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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2019-04-09
公开（公告）日：2020-03-20
公开（公告）号：CN110896668A
专利技术分类：
专利摘要：公开了三维3D存储器件以及用于形成3D存储器件的方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件，包括：衬底，在所述衬底上方的第一存储器堆栈，第一沟道结构，在所述第一沟道结构上方并且与所述第一沟道结构相接触的第一堆栈间插塞，在所述第一堆栈间插塞上方的第二存储器堆栈，以及在所述第一堆栈间插塞上方并且与所述第一堆栈间插塞相接触的第二沟道结构。所述第一存储器堆栈包括第一多个交错的导体层和电介质层。所述第一沟道结构垂直地延伸通过所述第一存储器堆栈。所述第一堆栈间插塞包括单晶硅。所述第二存储器堆栈包括第二多个交错的导体层和电介质层。所述第二沟道结构垂直地延伸通过所述第二存储器堆栈。
专利权项：1.一种三维3D存储器件，包括：衬底；在所述衬底上方的第一存储器堆栈，其包括第一多个交错的导体层和电介质层；第一沟道结构，其垂直地延伸通过所述第一存储器堆栈；第一堆栈间插塞，其包括单晶硅并且在所述第一沟道结构上方并且与所述第一沟道结构相接触；在所述第一堆栈间插塞上方的第二存储器堆栈，其包括第二多个交错的导体层和电介质层；以及第二沟道结构，其垂直地延伸通过所述第二存储器堆栈并且在所述第一堆栈间插塞上方并且与所述第一堆栈间插塞相接触。
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 多堆栈三维存储器件以及其形成方法
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