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申请/专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日：2019-02-11
公开（公告）日：2020-08-18
公开（公告）号：CN111554563A
专利技术分类：.半导体器件或其部件的制造或处理[2006.01]
专利摘要：本申请提供的外延结构制造方法和外延结构，涉及半导体技术领域。其中，外延结构制造方法包括：提供多个衬底，并基于翘曲度将所述多个衬底进行分类，得到至少一个衬底组，其中，同一衬底组中的各衬底的翘曲度属于相同的预设范围、不同衬底组中各衬底的翘曲度属于不同的预设范围；在一个衬底组中获取至少两个衬底；通过同一设备、同一工艺在所述至少两个衬底中的每一个衬底的一面外延生长形成一匹配层，以通过该匹配层和该衬底之间形成的应力对该衬底的翘曲度进行调整。通过上述方法，可以改善现有技术中通过同一设备、同一工艺进行外延生长得到的各外延结构之间存在均匀性较差的问题。
专利权项：1.一种外延结构制造方法，其特征在于，包括：提供多个衬底，并基于翘曲度将所述多个衬底进行分类，得到至少一个衬底组，其中，同一衬底组中的各衬底的翘曲度属于相同的预设范围、不同衬底组中各衬底的翘曲度属于不同的预设范围；在一个衬底组中获取至少两个衬底；通过同一设备、同一工艺在所述至少两个衬底中的每一个衬底的一面外延生长形成一匹配层，以通过该匹配层和该衬底之间形成的应力对该衬底的翘曲度进行调整。
百度查询： 苏州能讯高能半导体有限公司 外延结构制造方法和外延结构
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