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申请/专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日：2020-07-30
公开（公告）日：2020-11-27
公开（公告）号：CN112002635A
专利技术分类：....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种沟槽型器件沟槽栅制备方法以及沟槽型器件沟槽栅，在衬底10上生长掩膜层，并刻蚀掩膜层形成开口41；采用湿法刻蚀工艺刻蚀开口41处的掩膜层，之后刻蚀衬底10形成沟槽40和沟槽40顶部的削切面；去除掩膜层，并在沟槽40侧壁、削切面以及衬底10的正面依次生长栅极氧化层50和栅极60，通过形成沟槽40和沟槽40顶部的削切面，避免沟槽顶部形成尖角，提高了削切面处的击穿电压，提高了沟槽型器件的击穿电压，大大降低了沟槽型器件被击穿而失效的概率，延长了沟槽型器件的寿命，节省成本。
专利权项：1.一种沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，包括：在衬底10上生长掩膜层，并刻蚀掩膜层形成开口41；采用湿法刻蚀工艺刻蚀开口41处的掩膜层，之后刻蚀衬底10形成沟槽40和沟槽40顶部的削切面；去除掩膜层，并在沟槽40侧壁、削切面以及衬底10的正面依次生长栅极氧化层50和栅极60。
百度查询： 全球能源互联网研究院有限公司 国网山西省电力公司电力科学研究院 国家电网有限公司 一种沟槽型器件沟槽栅制备方法以及沟槽型器件沟槽栅
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