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申请/专利权人：高通股份有限公司
申请日：2015-01-08
公开（公告）日：2020-12-08
公开（公告）号：CN105981157B
专利技术分类：...利用互连在器件中的分离元件间传输电流[2006.01]
专利摘要：一种半导体器件包括栅极210和毗邻于该栅极的第一有源触点220。此类器件进一步包括被电耦合至第一有源触点的第一堆叠式触点1310，第一堆叠式触点在侧壁上包括将第一堆叠式触点与栅极电隔离的第一隔离层1200。该器件还包括被电耦合至栅极并落在第一堆叠式触点上的第一通孔2000。第一通孔将第一堆叠式触点和第一有源触点耦合至栅极以使该栅极接地。
专利权项：1.一种半导体器件，包括：半导体器件有源区中的虚栅极；毗邻于所述虚栅极的第一有源触点；所述虚栅极和所述第一有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有开口；沉积于所述开口的侧壁上的第一隔离层；形成于所述开口中的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点被电耦合至所述第一有源触点；沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层，侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离；以及穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地。
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