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申请/专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学

摘要：本发明涉及半导体元器件的技术领域。提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；外延单元包括第二外延结构和若干组固定在第二外延结构上表面的第一外延结构，第二外延结构的周侧设置有第二斜面，第一外延结构的周侧设置有第一斜面；电极单元包括N型电极环和P型电极环；ODR膜系单元包括覆盖在第二斜面、第二外延结构上表面、第一斜面和第一外延结构上表面的ODR增透膜，ODR增透膜上表面覆盖有ODR反射层。本发明还提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，通过一体成型的全空间ODR膜系单元即可提高对芯片内多区域光子的反射，且一体成型的ODR反射层制作更加简单，成本更低，步骤简洁。

主权项：1.全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括衬底层，其特征在于，还包括在衬底层上表面从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；所述外延单元包括第二外延结构2和若干组固定在所述第二外延结构2上表面的第一外延结构1，所述第二外延结构2的周侧设置有第二斜面4，所述第一外延结构1的周侧设置有第一斜面3，所述第一外延结构1上表面的中心处开设有凹槽9，所述凹槽9的深度为第一外延结构1最上层的P-GaN层的厚度；所述电极单元包括固定在所述第二外延结构2上表面且包围在所述第一外延结构1周侧的N型电极环5，以及固定在所述第一外延结构1上表面的P型电极环6；所述ODR膜系单元包括覆盖在所述第二斜面4、所述第二外延结构2上表面、所述第一斜面3和所述第一外延结构1上表面的ODR增透膜7，所述ODR增透膜7的上表面覆盖有ODR反射层8，所述ODR反射层8一体成型。

全文数据：全空间ODR深紫外高光效二极管芯片及其制作工艺技术领域本发明涉及半导体元器件的技术领域，特别涉及全空间ODR深紫外高光效二极管芯片及其制作工艺。背景技术AlGaN基深紫外发光二极管因为其在空气净化、水净化、杀菌消毒、紫外光疗、生化检测、保密通信等领域的广泛应用前景而受到持续关注。深紫外发光二极管基于外延片制成，外延片自下而上依次包括：蓝宝石衬底，AlN层，N-AlGaN层，量子阱区，电子阻挡层，P-AlGaN层和P-GaN层。其中，蓝宝石衬底作为衬底层，AlN层和N-AlGaN层中的一部分作为第二外延结构，N-AlGaN层中另一部分，量子阱区，电子阻挡层，p-AlGaN层和P-GaN层作为第一外延结构。而从AlN层到衬底层和从衬底层到空气都是从光密介质到光疏介质的过程，当光子传播到这两个界面时会存在明显的全反射效应，其全反射角分别为52.5°和34°，因此量子阱区释放的光子中，50％的UVC光子被P-GaN层吸收，另外50％光中，传播路径在AlN层衬底层界面和衬底层空气界面全反射角之外的光线被重新反射回LED内部，被P-GaN层或者N型金属电极吸收，使得DUV-LED的光提取效率大幅降低。在纤锌矿结构AlN材料中，价带顶是晶体场分裂能带，主要跃迁过程是电子从导带底跃迁到晶体场分裂能带，辐射出TM模式Ec光子。AlGaN材料则介于两种之中，随着Al组分增加，其出射光由以TE模式光为主逐渐变为以TM模式光为主，即其发出的光子中TM模式占据了很大的比重，而TM模式光倾向于沿二极管侧面出射，容易受到多层界面反射和全反射的影响，使蓝宝石表面辐射区光子能量占比减小，非逃逸区、波导区、P-GaN层吸收区的光子能量占比增大，因此，DUV-LED芯片的光抽取效率通常较低，往往小于8％。因此如何通过芯片结构设计来提高光萃取效率，获得高光效深紫外LED是一个急需解决的难题。尽管现有技术中已经存在一些技术可以改善深紫外LED芯片的光萃取效率，但都局限在芯片结构中的某一个区域进行设计，例如：对Mesa刻蚀台阶侧壁的反射、n反射电极设计、p区光子晶体的设计等。这几种设计各自独立，均存在一定的局限性，LED芯片的光萃取效率提升不明显，还容易导致工艺步骤繁琐、成本高、芯片良率低。发明内容本发明的目的一是提供全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，以解决目前二极管芯片光萃取效率低的问题。全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括衬底层，还包括在衬底层上表面从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；所述外延单元包括第二外延结构和若干组固定在所述第二外延结构上表面的第一外延结构，所述第二外延结构的周侧设置有第二斜面，所述第一外延结构的周侧设置有第一斜面；所述电极单元包括固定在所述第二外延结构上表面且包围在所述第一外延结构周侧的N型电极环，以及固定在所述第一外延结构上表面的P型电极环；所述ODR膜系单元包括覆盖在所述第二斜面、所述第二外延结构上表面、所述第一斜面和所述第一外延结构上表面的ODR增透膜，所述ODR增透膜的上表面覆盖有ODR反射层。上述技术方案中，从第一外延结构的量子阱区中发出的光子，部分被P-GaN层吸收，部分光子在传播路径中的衬底层处发生折射重新反射回芯片内部，该反射后的光子沿着传播路径从芯片的侧壁射出时，第一斜面或第二斜面使到达该处的光子能再次发生折射，最终从衬底层射出，从而大大提高了芯片的光萃取效率。在第二斜面与第一斜面的基础上，通过ODR增透膜使更多的光子进入到第一斜面与第二斜面处，减少光子的吸收，并通过ODR反射层使更多的光子发生折射，减少光子从侧壁的逸出，极大地提升了芯片的光萃取效率。通过一个全空间的ODR膜系单元即可实现对芯片内多区域光子的反射，与现有技术相比，在保障电学性能良好的前提下，光学性能更好，且一体成型的ODR反射层制作更加简单，较现有技术中的分区设计成本更低，步骤简洁。进一步地，所述第一外延结构上表面的中心处开设有凹槽，所述凹槽的深度为第一外延结构最上层的P-GaN层的厚度。上述技术方案中，凹槽的开设降低了P-GaN层对光子的吸收，有利于更多的光子被ODR膜系单元反射后从衬底层射出，从而提高芯片的发光效率。进一步地，所述第一斜面的倾斜角度为θ1，所述第二斜面的倾斜角度为θ2，0°θ1≤90°，0°θ2≤90°。上述技术方案中，在一定角度范围内的第一斜面和第二斜面有利于保障更多的光子被反射至衬底层，进一步提高了芯片的光萃取率。进一步地，ODR增透膜和ODR反射层内均开设有用于所述P型电极环穿过的第二P环孔，所述P型电极环的外壁与所述第二P环孔的内壁之间间隔有间隙；所述ODR反射层的上表面覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层内开设有与所述第二P环孔对应设置的第一P环孔；所述第一绝缘层的上表面于每组第一外延结构的正上方均固定有金属连接条，所述金属连接条通过所述第一P环孔和第二P环孔后与该组第一外延结构内的所有P型电极环相抵接以实现电性连接；所述ODR增透膜内还开设有N环孔，所述N型电极环穿过所述N环孔后与所述ODR反射层抵接以实现电性连接。上述技术方案中，N型电极环通过第三环孔后与ODR反射层抵接，增加了N型电极环的厚度；P型电极环通过第一环孔与第二环孔后与金属连接条抵接，增加了P型电极环的厚度，在实现电极单元的连接下，还使得电流的扩展更加均匀。进一步地，所述第一绝缘层的上表面还设置有封盖单元，所述封盖单元包括金属焊盘层，所述金属焊盘层与所述第一绝缘层之间固定有第二绝缘层。上述技术方案中，第二绝缘层将金属连接条与金属焊盘层之间分割，避免了P型电极环与金属焊盘层的连接，同时还对电极单元进行保护，有利于延长使用寿命。本发明的目的二是提供全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，包括以下步骤：S1，加工外延单元：取外延片，在外延片的上表面刻蚀形成多组第一外延结构，并使第一外延结构的周侧刻蚀形成第一斜面，然后在外延片内、第一外延结构的下表面刻蚀出多个第二外延结构，使第二外延结构的周侧刻蚀成第二斜面，并保证每个第二外延结构的上表面；S2，加工N型电极环：在第二外延结构上表面于每一个第一外延结构的周侧均蒸镀N电极金属，形成N型电极环；S3，加工ODR膜系单元：在S2得到的外延单元上表面蒸镀二氧化硅或氟化镁，形成ODR增透膜；最后在ODR增透膜的上表面蒸镀反射金属、剥离，形成ODR反射层；S4，加工P型电极环：在ODR反射层和ODR增透膜内对应每一个第一外延结构的位置，蒸镀P电极金属，形成P型电极环；S5，连接P型电极环：将每组第一外延结构上表面的所有P型电极环进行电性连接。上述技术方案中，ODR膜系单元一步覆盖多个区域，与现有技术中的分区设计相比，制作更加简单，且成本更低。进一步地，所述S1中第一外延结构刻蚀完毕后在其上表面的中心处刻蚀出凹槽，凹槽的刻蚀深度为第一外延结构中最上层P-GaN层的厚度。进一步地，所述S3中蒸镀反射金属前先在ODR增透膜内对应N型电极环的位置进行光刻、腐蚀，形成用于N型金属电极穿过的N环孔。进一步地，所述S4中在蒸镀P电极金属前，先在ODR增透膜和ODR反射层内对应第一外延结构的位置光刻、腐蚀，形成包围所述凹槽并用于制作P型电极环的第二P环孔。进一步地，所述S5具体为：S501，在S4得到的ORD反射层上表面蒸镀绝缘物质，形成第一绝缘层，然后在第一绝缘层内对应第二P环孔的位置进行光刻、腐蚀，形成第一P环孔；S502，在第一绝缘层的上表面蒸镀多个连接金属，每个连接金属均形成同时与一组第一外延结构内的所有P型电极环电性连接的金属连接条；S503，在形成金属连接条的第一绝缘层上表面蒸镀绝缘物质，形成第二绝缘层，在第二绝缘层上表面蒸镀焊盘金属形成金属焊盘层；S504，沿第二斜面切割、抛光衬底层，使相邻两个第二外延结构跟随衬底层被分割独立，形成一个个独立的芯片，最后将芯片与陶瓷基板固定，完成封装。附图说明图1为本发明的爆炸示意图；图2为ODR膜系单元的剖视示意图。其中，1、第二外延结构；2、第一外延结构；3、第一斜面；4、第二斜面；5、N型电极环；6、P型电极环；7、ODR增透膜；8、ODR反射层；9、凹槽；10、第二P环孔；11、第一绝缘层；12、第一P环孔；13、金属连接条；14、N环孔；15、第二绝缘层；16、金属焊盘层。具体实施方式为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更为清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解此处描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。实施例一参照图1和图2，为本发明公开的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，从下至上依次包括衬底层、外延单元、电极单元、ODR膜系单元和封盖单元。其中，衬底层为蓝宝石衬底，外延单元从下至上依次包括一体设置在蓝宝石衬底上表面的AlN层、N-AlGaN层、量子阱区、电子阻挡层、P-AlGaN层和P-GaN层。外延单元包括第二外延结构2和若干组固定在第二外延结构2上表面的第一外延结构1，其中，AlN层和N-AlGaN层的一部分组成第二外延结构2，N-AlGaN层的另一部分则和量子阱区、电子阻挡层、P-AlGaN层以及P-GaN层组成第一外延结构1。第二外延结构2为长方体状，其四周设置有第二斜面4，第二斜面4的倾斜角度为θ2，0＜θ2≤90°，优选为30°。第一外延结构1为25个，在N-AlGaN层的上表面呈矩形阵列分布，每列5个作为一组，共5组，每一个第一外延结构1呈圆台状，且周侧设置有第一斜面3，第一斜面3为Mesa刻蚀台阶，第一斜面3的倾斜角为θ1，0＜θ1≤90°，优选为45°。第二外延结构2和第一外延结构1中原本从侧壁射出的光线可通过第一斜面3和第二斜面4折射后从衬底层中射出，进而提高芯片的光提取效率。电极单元包括固定在第二外延结构2上表面且包围在第一外延结构1周侧的N型电极环5，还包括固定在第一外延结构1上表面的P型电极环6，N型电极环5与P型电极环6同轴设置。N型电极环5的材质为Ti、Al、Au中的一种，P型电极环6为的材质为Ni或Au。第一外延结构1上表面的中心处开设有凹槽9，凹槽9的深度为第一外延结构1中最上层P-GaN层的厚度。ODR膜系单元包括覆盖在第一斜面3、第二外延结构2上表面、第二斜面4、第一外延结构1上表面以及凹槽9内壁的ODR增透膜7，ODR增透膜7的材质为二氧化硅或氟化镁，ODR增透膜7的上表面覆盖有ODR反射层8，ODR反射层8的材质为Al、Cr、Ti、Pt、Au中的一种。ODR增透膜7内于每一个N型电极环5处均开设有N环孔14，ODR反射层8覆盖在ODR增透膜7上表面后通过N环孔14与所有的N型电极环5电性连接。ODR反射层8使得N型电极环5的厚度增加，电流的扩展会更加均匀。ODR增透膜7和ODR反射层8内于每一个P型电极环6处均开设有第二P环孔10，P型电极环6的周侧与第二P环孔10的内壁之间间隔有间隙且通过第二P环孔10穿出ODR膜系单元。ODR反射层8的上表面以及第二P环孔10的内壁覆盖有第一绝缘层11，第一绝缘层11内于每一个P型电极环6处均开设有第一P环孔12，第一P环孔12与第二P环孔10对应设置。第一绝缘层11的上表面固定有5个金属连接条13，每个金属连接条13平行于一列第一外延结构1设置，金属连接条13的材质为Cr或Au，金属连接条13通过第一P环孔12与该列的5个P型电极环6电性连接，同时第一绝缘层11将P型电极环6与ODR反射层8之间、金属连接条13与ODR反射层8之间进行绝缘分隔，避免P型电极环6与N型电极环5接触短路。金属连接条13与P型电极环6连接后使得P型电极环6的厚度增加，进一步确保电流的扩展均匀。封盖单元包括覆盖在第一绝缘层11和金属连接条13上表面的第二绝缘层15，第二绝缘层15的上表面固定有金属焊盘层16，第二绝缘层15将金属连接条13与金属焊盘层16进行绝缘分隔。实施例二参照图1和图2，为本发明公开的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，包括以下步骤：S1，加工外延单元，其具体为：S101，取2英寸的外延片，使用丙酮和异丙醇分别超声清洗5min，去除片子表面的有机物，再用去离子水冲洗5min，氮气枪吹干。S102，通过光刻胶作为掩膜，调节掩膜版与外延片之间的距离和角度，使用BCl3和Cl2的混合气氛中的等离子体蚀刻外延片上表面，刻蚀深度为670nm、倾斜角度为45°，使外延片上的部分N-AlGaN层、量子阱区、电子阻挡层、P-AGalN层和P-GaN层内形成多个第一斜面3，每个第一斜面3内包围的N-AlGaN层、量子阱区、电子阻挡层、P-AlGaN层和P-GaN层组成一个第一外延结构1，外延片上表面刻蚀出的所有第一外延结构1呈矩阵排列。S103，通过光刻胶作为掩膜，调节掩膜版与外延片之间的距离和角度，使用BCl3和Cl2的混合气氛中的等离子体蚀刻外延片内的AlN层和N-AlGaN层，刻蚀深度为3.7um、倾斜角度为30°，使外延片内的AlN层和N-AlGaN层内形成多个第二斜面4，四个第二斜面4内包围的AlN层和N-AlGaN层形成长方体状的第二外延结构2，并保证每个第二外延结构2的上表面存在5行5列的第一外延结构1，每个第二外延结构2和其上表面的25个第一外延结构1组合成一个外延单元。S104，通过光刻胶作为掩膜，使用BCl3和Cl2的混合气氛中等的离子体蚀刻第一外延结构1上表面的中心处，刻蚀深度为N-AlGaN层的厚度，刻蚀后形成凹槽9。S2，加工N型电极环5，其具体为：S201，在第二外延结构2的上表面且于每一个第一外延结构1的周侧旋涂3um厚的光刻胶并在95℃烘1min，使用365nm的紫外光源进行投影曝光3s并显影60s。S202，在S201的光刻处使用电子束蒸发蒸镀N电极金属，N电极金属具体为5nm厚度的Ti或10nm厚度的Al或10nm厚度的Au中的一种，蒸镀完毕后使用剥离液进行剥离，最后于800℃下退火45s，形成N型电极环5。S3，加工ODR膜系单元，其具体为：S301，在S202得到的外延单元上表面蒸镀二氧化硅或氟化镁，形成ODR增透膜7。S302，在ODR增透膜7内对应每一个N型电极环5的位置处旋涂光刻胶进行光刻，腐蚀该位置处的二氧化硅或氟化镁，使得对应N型电极环5的位置无二氧化硅或氟化镁，形成N环孔14。S303，在ODR增透膜7的上表面使用电子束蒸发蒸镀反射金属，反射金属具体为Al、Cr、Ti、Pt、Au中的一种，反射金属既覆盖在ODR增透膜7的上表面，同时还填充在N环孔14内与N型电极环5接触。蒸镀完毕后使用剥离液进行剥离，形成ODR反射层8。S4，加工P型电极环6，其具体为：S401，在ODR反射层8和ODR增透膜7内对应每一个第一外延结构1的位置处旋涂光刻胶进行光刻，腐蚀该位置处的ODR反射层8和ODR增透膜7，使得对应P型电极环6的位置无ODR反射层8和ODR增透膜7，形成包围凹槽9的第二P环孔10。S402，在第二P环孔10处使用电子束蒸发蒸镀P电极金属，P电极金属具体为20nm厚度的Ni或50nm厚度的Au，500℃快速退火5min，形成P型电极环6。S5，连接P型电极环6，其具体为：S501，在S402得到的ORD反射层上表面蒸镀二氧化硅，形成第一绝缘层11，第一绝缘层11的二氧化硅既覆盖在ODR反射层8上表面，同时还填充第二P环孔10内壁与P型电极环6之间的间隙，使得P型电极环6与ODR反射层8之间绝缘。然后在第一绝缘层11内对应第二P环孔10的位置旋涂光刻胶进行光刻，腐蚀该位置处的二氧化硅，形成第一P环孔12。S502，在每个外延单元第一绝缘层11的上表面使用电子束蒸发蒸镀5个连接金属，连接金属具体为300nm厚度的Cr或300nm厚度的Au，每个连接金属均形成同时与一列第一外延结构1内的5个P型电极环6电性连接的金属连接条13。S503，在形成金属连接条13的第一绝缘层11上表面蒸镀1um厚度的二氧化硅，蒸镀温度为300℃，形成第二绝缘层15，使第二绝缘层15覆盖在第一绝缘层11和金属连接条13的上表面。然后在第二绝缘层15上表面使用电子束蒸发蒸镀焊盘金属，焊盘金属具体为Cr、Al、Ti、Pt和Au中的一种，形成1.9um厚度的金属焊盘层16。S504，沿第二斜面4切割外延片内的蓝宝石衬底，并抛光，使相邻两个第二外延结构2跟随蓝宝石衬底被分割独立，整个外延片被分割成多个独立的芯片，最后将芯片与陶瓷基板之间使用锡膏固定，完成封装。以上仅为本发明的若干个优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

权利要求：1.全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括衬底层，其特征在于，还包括在衬底层上表面从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；所述外延单元包括第二外延结构2和若干组固定在所述第二外延结构2上表面的第一外延结构1，所述第二外延结构2的周侧设置有第二斜面4，所述第一外延结构1的周侧设置有第一斜面3；所述电极单元包括固定在所述第二外延结构2上表面且包围在所述第一外延结构1周侧的N型电极环5，以及固定在所述第一外延结构1上表面的P型电极环6；所述ODR膜系单元包括覆盖在所述第二斜面4、所述第二外延结构2上表面、所述第一斜面3和所述第一外延结构1上表面的ODR增透膜7，所述ODR增透膜7的上表面覆盖有ODR反射层8。2.根据权利要求1所述的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，其特征在于，所述第一外延结构1上表面的中心处开设有凹槽9，所述凹槽9的深度为第一外延结构1最上层的P-GaN层的厚度。3.根据权利要求1所述的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，其特征在于，所述第一斜面3的倾斜角度为θ1，所述第二斜面4的倾斜角度为θ2，0°＜θ1≤90°，0°＜θ2≤90°。4.根据权利要求1所述的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，其特征在于，ODR增透膜7和ODR反射层8内均开设有用于所述P型电极环6穿过的第二P环孔10，所述P型电极环6的外壁与所述第二P环孔10的内壁之间间隔有间隙；所述ODR反射层8的上表面覆盖有第一绝缘层11，所述第一绝缘层11内开设有与所述第二P环孔10对应设置的第一P环孔12；所述第一绝缘层11的上表面于每组第一外延结构1的正上方均固定有金属连接条13，所述金属连接条13通过所述第一P环孔12和第二P环孔10后与该组第一外延结构1内的所有P型电极环6相抵接以实现电性连接；所述ODR增透膜7内还开设有N环孔14，所述N型电极环5穿过所述N环孔14后与所述ODR反射层8抵接以实现电性连接。5.根据权利要求4所述的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，其特征在于，所述第一绝缘层11的上表面还设置有封盖单元，所述封盖单元包括金属焊盘层16，所述金属焊盘层16与所述第一绝缘层11之间固定有第二绝缘层15。6.全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1，加工外延单元：取外延片，在外延片的上表面刻蚀形成多组第一外延结构1，并使第一外延结构1的周侧刻蚀形成第一斜面3，然后在外延片内、第一外延结构1的下表面刻蚀出多个第二外延结构2，使第二外延结构2的周侧刻蚀成第二斜面4，并保证每个第二外延结构2的上表面；S2，加工N型电极环5：在第二外延结构2上表面于每一个第一外延结构1的周侧均蒸镀N电极金属，形成N型电极环5；S3，加工ODR膜系单元：在S2得到的外延单元上表面蒸镀二氧化硅或氟化镁，形成ODR增透膜7；最后在ODR增透膜7的上表面蒸镀反射金属、剥离，形成ODR反射层8；S4，加工P型电极环6：在ODR反射层8和ODR增透膜7内对应每一个第一外延结构1的位置，蒸镀P电极金属，形成P型电极环6；S5，连接P型电极环6：将每组第一外延结构1上表面的所有P型电极环6进行电性连接。7.根据权利要求6所述的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，其特征在于，所述S1中第一外延结构1刻蚀完毕后在其上表面的中心处刻蚀出凹槽9，凹槽9的刻蚀深度为第一外延结构1中最上层P-GaN层的厚度。8.根据权利要求6所述的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，其特征在于，所述S3中蒸镀反射金属前先在ODR增透膜7内对应N型电极环5的位置进行光刻、腐蚀，形成用于N型金属电极穿过的N环孔14。9.根据权利要求7所述的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，其特征在于，所述S4中在蒸镀P电极金属前，先在ODR增透膜7和ODR反射层8内对应第一外延结构1的位置光刻、腐蚀，形成包围所述凹槽9并用于制作P型电极环6的第二P环孔10。10.根据权利要求9所述的全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，其特征在于，所述S5具体为：S501，在S4得到的ORD反射层上表面蒸镀绝缘物质，形成第一绝缘层11，然后在第一绝缘层11内对应第二P环孔10的位置进行光刻、腐蚀，形成第一P环孔12；S502，在第一绝缘层11的上表面蒸镀多个连接金属，每个连接金属均形成同时与一组第一外延结构1内的所有P型电极环6电性连接的金属连接条13；S503，在形成金属连接条13的第一绝缘层11上表面蒸镀绝缘物质，形成第二绝缘层15，在第二绝缘层15上表面蒸镀焊盘金属形成金属焊盘层16；S504，沿第二斜面4切割、抛光衬底层，使相邻两个第二外延结构2跟随衬底层被分割独立，形成一个个独立的芯片，最后将芯片与陶瓷基板固定，完成封装。

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