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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日：2019-08-15
公开（公告）日：2021-02-02
公开（公告）号：CN112310047A
专利技术分类：..阻抗装置[2006.01]
专利摘要：本发明公开一种电容集成结构及其电容，该电容利用一晶片而制成，并通过在电容中设置增高结构，以令电容中的电极层可沿增高结构的表面轮廓延伸，以增加电极层的延伸长度，用于缩小电容面积，并可简化电容的制造流程以及降低制造成本。
专利权项：1.一种电容，其特征在于，该电容利用一晶片而制成，并用于焊接到印刷电路板上，其中，该电容包括：第一基底结构；至少一第一绝缘增高结构，该第一绝缘增高结构位于该第一基底结构的上方；至少一第一电极层，该第一电极层位于该第一绝缘增高结构的上方，其中，该第一电极层具有第一极性，且沿着该第一绝缘增高结构的表面轮廓延伸，以增加该第一电极层延伸的长度；至少一第二电极层，该第二电极层位于该第一电极层的上方，其中，该第二电极层具有第二极性，且沿着该第一电极层的表面轮廓延伸，以增加该第二电极层延伸的长度；第一电极焊垫，该第一电极焊垫电连接该第一电极层；以及第二电极焊垫，该第二电极焊垫电连接该第二电极层，其中，该第一电极焊垫与该第二电极焊垫用于分别焊接到该印刷电路板上；以及该第一基底结构布设于该晶片上。
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 电容集成结构及其电容
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