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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
主权项：1.一种方法，包括：a向工艺腔室的电极递送第一脉冲串，其中所述第一脉冲串包括：第一多个电压脉冲，所述第一多个电压脉冲在第一串周期期间被递送，其中所述第一多个电压脉冲中的每一个脉冲包括第一脉冲幅度；以及b向所述工艺腔室的所述电极递送第二脉冲串，其中所述第二脉冲串包括：第二多个电压脉冲，所述第二多个电压脉冲在第二串周期期间被递送，其中所述第二多个电压脉冲中的每一个脉冲包括第二脉冲幅度，c重复a和b多次，其中重复a和b所述多次被配置为产生离子能量分布函数IEDF，所述离子能量分布函数IEDF具有在形成于所述工艺腔室中的等离子体中的多个能量峰值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 产生离子能量分布函数(IEDF)
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