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申请/专利权人：西安电子科技大学

摘要：本发明公开了一种高温PIN‑PHT压电陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域；本发明采用传统的固相烧结法制备出了化学通式xPbIn0.5Nb0.5O3‑1‑xPbHf1‑yTiyO3，其中0.07≤x≤0.3，0.53≤y≤0.6的压电陶瓷。本发明通过将具有较小容差因子的铁电体PIN与电学性能较好的PHT固溶，构成三元PIN‑PHT压电陶瓷；其在保持较高居里温度的情况下仍然具有良好的压电性能；解决了现有技术中，压电性能与居里温度不能兼得的问题。

主权项：1.一种高温PIN-PHT压电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述高温PIN-PHT压电陶瓷的化学通式为xPbIn0.5Nb0.5O3-1-xPbHf1-yTiyO3，其中0.07≤x≤0.3，0.53≤y≤0.6；包括以下步骤：步骤1、将In2O3粉体和Nb2O5粉体依次进行球磨、烘干、煅烧，得到InNbO4前驱体粉体；步骤1按照以下步骤实施：步骤1.1、将In2O3粉体和Nb2O5粉体按照摩尔比1:1进行称量并混合，形成混合粉体；步骤1.2、将经步骤1.1得到的混合粉体依次进行球磨处理和烘干处理，得到混合干粉料；其中，所述球磨处理的时间为10-15h，球磨介质为无水乙醇；无水乙醇的用量为：每克待球磨粉料要加入0.7ml～1.2ml无水乙醇，球料质量比为1.5～3：1；所述烘干处理的温度为40-50℃，时间为4-6h；步骤1.3、将经步骤1.2得到的混合干粉料于大气气氛下1050℃～1150℃下恒温煅烧5.5h～7.5h；升温速率为4℃min；再置于空气中自然冷却，得到InNbO4前驱体粉料；步骤2、将Pb3O4粉体、TiO2粉体、HfO2粉体和所述InNbO4前驱体粉体进行预处理，得到预制混合粉料；将所述预制混合粉料进行磨细处理，得到预合成干粉料；步骤2中，所述预处理具体为：首先，将Pb3O4粉体、TiO2粉体、HfO2粉体和所述InNbO4前驱体粉体进行球磨处理，球磨时间为10h～15h；其次，将球磨处理后的混合粉料置于烘箱中进行烘干处理，得到混合干粉料，所述烘干处理的温度为：40℃～50℃；最后，将所述混合干粉料于大气气氛中850℃～950℃下恒温煅烧3.5h～4.5h，得到预制混合粉料；步骤3、对预合成干粉料进行造粒、筛分后，得到待压粉料，对待压粉料进行压制，得到陶瓷生胚；步骤4、对所述陶瓷生胚依次进行排胶和高温反应，得到高温PIN-PHT压电陶瓷。

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