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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2021-03-26
公开（公告）日：2021-10-26
公开（公告）号：CN113555439A
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有电阻和电容优化的一体式共源共栅单元及制造方法。该结构包括：位于单个公共半导体区域的第一部分中的共源极FETCS‑FET，所述CS‑FET包括源极区和漏极区；位于单个公共半导体区域的第二部分中的共栅极FETCG‑FET，所述CG‑FET包括源极区和漏极区；以及单个公共半导体区域的掺杂连接区域，其连接CS‑FET的漏极与CG‑FET的源极。
专利权项：1.一种结构，包括：位于单个公共半导体区域的第一部分中的共源极FETCS-FET，所述CS-FET包括源极区和漏极区；位于所述单个公共半导体区域的第二部分中的共栅极FETCG-FET，所述CG-FET包括源极区和漏极区；以及所述单个公共半导体区域的掺杂连接区域，其连接所述CS-FET的漏极与所述CG-FET的源极。
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 共源共栅单元
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