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申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

申请日：2020-05-18

公开（公告）日：2022-03-11

公开（公告）号：CN114175266A

专利技术分类：..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的[2006.01]

专利摘要：一种具有层布置101，201，301，401，501，601的功率晶体管单元100，200，300，400，500，600，该层布置具有前侧和后侧，其中，该前侧与该后侧相对置，其中，沟槽104，204，304，404，504，604自该前侧起并垂直于该前侧沿着第一方向105，205，305，405，505，605延伸至该层布置101，201，301，401，501，601中，并且该沟槽104，204，304，404，504，604至少到达电流扩散层106，206，306，406，506，606中，其中，该沟槽104，204，304，404，504，604沿着垂直于该第一方向105，205，305，405，505，605布置的第二方向107，207，307，407，507，607延展，并且场屏蔽区108，208，308，408，508，608至少局部地布置在该电流扩散层106，206，306，406，506，606中，其特征在于，源极区域109，209，309，409，509，609和场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611沿着该第二方向107，207，307，407，507，607交替地布置，其中，在每个源极区域109，209，309，409，509，609与每个场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611之间分别布置有体区110，210，310，410，510，610的一部分，其中，该场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611将该场屏蔽区108，208，308，408，508，608与该前侧102，202，302，402，502，602上的第一金属区112，212，312，412，512，612连接，并且该场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611至少局部地触碰该沟槽104，204，304，404，504，604的侧面。

专利权项：1.一种功率晶体管单元100，200，300，400，500，600，其具有层布置101，201，301，401，501，601，所述层布置具有前侧和后侧，其中，所述前侧与所述后侧相对置，其中，沟槽104，204，304，404，504，604自所述前侧起沿着第一方向105，205，305，405，505，605延伸至所述层布置101，201，301，401，501，601中，并且所述沟槽104，204，304，404，504，604至少到达电流扩散层106，206，306，406，506，606中，其中，所述沟槽104，204，304，404，504，604沿着垂直于所述第一方向105，205，305，405，505，605布置的第二方向107，207，307，407，507，607延展，并且场屏蔽区108，208，308，408，508，608至少局部地布置在所述电流扩散层106，206，306，406，506，606中，其特征在于，源极区域109，209，309，409，509，609和场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611沿着所述第二方向107，207，307，407，507，607交替地布置，其中，在每个源极区域109，209，309，409，509，609与每个场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611之间分别布置有体区110，210，310，410，510，610的一部分，其中，所述场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611将所述场屏蔽区108，208，308，408，508，608与所述前侧102，202，302，402，502，602上的第一金属区112，212，312，412，512，612连接，并且所述场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611至少局部地触碰所述沟槽104，204，304，404，504，604的侧面。

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