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申请/专利权人：成都大学
摘要：本发明涉及一种原位生长碳纳米管修饰的CNTSiCNWs复合吸波材料的制备方法。本发明将CoCH3COO2·4H2O溶解于去离子水中配置成醋酸钴溶液，将聚乙烯醇缩丁醛与SiCNWs混合后加入到醋酸钴溶液中混合均匀得到混合溶液A；在温度80～100℃下，混合溶液A搅拌反应24～28h，固液分离，固体置于温度为600～1000℃、氮气氛围中反应2～4h即得原位生长碳纳米管修饰的CNTSiCNWs复合材料。本发明在醋酸钴催化剂下，通过PVB热解和退火处理得到原位生长CNTSiCNWs，有利于构建均匀的3D导电网络，使其具有更好的EM波吸收。
主权项：1.一种原位生长碳纳米管修饰的CNTSiCNWs复合吸波材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：1将CoCH3COO2·4H2O溶解于去离子水中配置成醋酸钴溶液，将聚乙烯醇缩丁醛与SiCNWs混合后加入到醋酸钴溶液中混合均匀得到混合溶液A；2在温度80～100℃下，混合溶液A搅拌反应24～28h，固液分离，固体置于温度为600～1000℃、氮气氛围中退火处理2～4h即得原位生长碳纳米管修饰的CNTSiCNWs复合材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都大学 一种原位生长碳纳米管修饰的CNT/SiCNWs复合吸波材料的制备方法
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