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申请/专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
摘要：本发明涉及一种斜切6°GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法。一种斜切GOI衬底，包括由下至上的硅衬底、介质堆叠层、斜切6°锗层。提供斜切6°硅衬底；在斜切6°硅衬底上依次形成低温锗层、高温锗层；在高温锗层上形成第一介质层，得到牺牲衬底；在硅衬底上形成第二介质层，得到支撑衬底；以第一介质层和第二介质层为键合面，将牺牲衬底和支撑衬底键合；然后依次去除斜切硅衬底、低温锗层。本发明解决了III‑V族材料外延生长中存在的反向畴、晶格失配大、热失配高等问题，提高了III‑V族材料外延材料的质量及以此为基础的短波红外焦平面像元等器件的响应度，降低了器件暗电流。
主权项：1.一种斜切6°GOI衬底，其特征在于，包括由下至上的硅衬底、介质堆叠层、斜切6°锗层。
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百度查询： 广州诺尔光电科技有限公司 斜切6°GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法
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