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申请/专利权人：吉林大学
摘要：本发明的一种利用高压技术调控SnBi2Te4中Sn原子缺陷的方法属于高压调控技术领域，以纯的层状准二维结构的SnBi2Te4粉末为初始原料，利用对称式金刚石对顶砧压机进行加压，金刚石砧面大小为300μm，密封垫采用T301不锈钢片，用体积比为4∶1的甲醇和乙醇混合溶液作为传压介质，采用标准红宝石荧光标压技术标定压力，将样品加压至50GPa，保持高压12小时到24小时，卸压后，得到Sn原子缺陷显著降低的SnBi2Te4粉末。本发明利用高压手段显著降低了SnBi2Te4中锡原子缺陷，有助于解决拓扑绝缘体材料在现阶段所面临的问题，从而为其实际应用奠定基础。
主权项：1.一种利用高压技术调控SnBi2Te4中Sn原子缺陷的方法，以纯的层状准二维结构的SnBi2Te4粉末为初始原料，利用对称式金刚石对顶砧压机进行加压，金刚石砧面大小为300μm，密封垫采用T301不锈钢片，用体积比为4∶1的甲醇和乙醇混合溶液作为传压介质，采用标准红宝石荧光标压技术标定压力，将样品加压至50GPa，保持高压12小时到24小时，卸压后，得到Sn原子缺陷显著降低的SnBi2Te4粉末。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉林大学 一种利用高压技术调控SnBi2Te4中Sn原子缺陷的方法
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