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申请/专利权人：安世有限公司
申请日：2017-11-17
公开（公告）日：2022-10-21
公开（公告）号：CN108074964B
专利技术分类：..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的[2006.01]
专利摘要：公开了一种异质结半导体器件。异质结半导体器件包括衬底和设置在衬底上的多层结构。多层结构包括：包括第一半导体的第一层，其设置在衬底之上；以及包括第二半导体的第二层，其设置在第一层之上，以定义第一层与第二层之间的界面。第二半导体不同于第一半导体，以使得二维电子气在邻近界面处形成。所述器件还包括：第一端子，其电耦接到第一层与第二层之间的界面的第一区域；以及第二端子，其电耦接到第一层与第二层之间的界面的第二区域。所述器件还包括导电沟道，其包括位于底部和侧壁的注入区域。导电沟道填充有金属且导电沟道连接第二端子和第一层的区域，以使得电荷可在第二端子和第一层之间流动。
专利权项：1.一种异质结半导体器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的多层结构，所述多层结构包括：包括第一半导体的第一层，其设置在所述衬底之上；包括第二半导体的第二层，其设置在所述第一层之上，以定义所述第一层与所述第二层之间的界面，其中所述第二半导体不同于所述第一半导体，以使得二维电子气在邻近所述界面处形成；第一端子，其电耦接到所述第一层与所述第二层之间的界面的第一区域；以及第二端子，其电耦接到所述第一层与所述第二层之间的界面的第二区域；以及导电沟道，其包括位于底部和侧壁的注入区域，其中所述导电沟道填充有金属且所述导电沟道连接所述第二端子和所述第一层的区域，以使得电荷能够在所述第二端子和所述第一层之间流动；所述注入区域位于所述异质结半导体器件的所述第一层的耗尽边缘下方，且不接触所述第二层。
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