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申请/专利权人：亮锐有限责任公司
申请日：2017-11-06
公开（公告）日：2019-09-27
公开（公告）号：CN110291640A
专利技术分类：.包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件[2006.01]
专利摘要：描述了一种分割光或光学功率发射器件和光照器件。分割器件包括具有光或光学功率发射半导体结构的管芯，该光或光学功率发射半导体结构包括设置在n层和p层之间的有源层。沟槽形成在至少半导体结构中并将该管芯分离成可单独寻址的区段。有源层发射具有第一色点或光谱的光或光学功率。至少一个波长转换层与管芯相邻，并将光或光学功率转换为具有至少一个第二色点或光谱的光或光学功率，并且将未被转换的、穿过至少一个波长转换层的泵浦光或光学功率与由光或光学功率发射器件发射的总光或光学功率的能量比限制为小于10%。
专利权项：1.一种分割半导体光或光学功率发射器件，包括：包括光或光学功率发射半导体结构的管芯，所述光或光学功率发射半导体结构包括光或光学功率发射有源层，所述光或光学功率发射有源层被配置为发射具有第一色点或光谱的光或光学功率并且设置在n层和p层之间，多个沟槽，所述多个沟槽形成在至少所述光或光学功率发射半导体结构中，所述多个沟槽将所述管芯分离成多个可单独寻址的区段；和与所述管芯相邻的至少一个波长转换层，所述至少一个波长转换层被配置为将由所述至少一个有源层发射的所述光或光学功率转换为具有至少一个与所述第一色点或光谱不同的第二色点或光谱的光或光学功率，并且被配置为将未被转换的、穿过所述至少一个波长转换层的、由所述有源层发射的所述光或光学功率与由所述分割半导体光或光学功率发射器件发射的总光或光学功率的能量比限制为小于10%。
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