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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2020-10-22

公开（公告）日：2022-08-30

公开（公告）号：CN114981994A

专利技术分类：

专利摘要：一种发光器件，包括：空穴阻挡层，包括如下式1a和式1b所示的化合物中的一种或多种：Z1～Z11选自H或R。R、R1和R2分别选自氘、卤素、氰基、硝基、氨基、C1～C40的烷基、C2～C40的烯基、C2～C40的炔基、C3～C40的环烷基、C3‑C40的杂环烷基、C6～C60的芳基、C5‑C60的杂芳基、C1～C40的烷氧基、C6～C60的芳氧基、C3‑C40的烷基甲硅烷基、C6～C60的芳基甲硅烷基、C1～C40的烷基硼基、C6～C60的芳基硼基、C6～C60的芳基亚膦基、C6～C60的单或二芳基膦基及C6～C60的芳基胺基。R3选自杂环基和稠杂环基。

专利权项：一种发光器件，包括：层叠设置的第一电极和第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；位于所述第一电极和所述发光层之间的电子传输层；位于所述发光层和所述电子传输层之间的空穴阻挡层；其中，所述空穴阻挡层的材料包括：如下式1a和式1b所示的含晕苯或环十二烷的化合物中的一种或多种： 其中，m为0～2中的整数，n为0～5中的整数，i为0～3中的整数，且在式1a中，m、n和i中至少其中之一不为0，在式1b中，m和i中至少其中之一不为0；Z 1～Z 11相同或不同，分别独立地选自H和取代基R中的任一种； 取代基R、取代基R 1和取代基R 2相同或不同，分别独立的选自氘、卤素、氰基、硝基、氨基、C 1～C 40的烷基、C 2～C 40的烯基、C 2～C 40的炔基、C 3～C 40的环烷基、C 3-C 40的杂环烷基、C 6～C 60的芳基、C 5-C 60的杂芳基、C 1～C 40的烷氧基、C 6～C 60的芳氧基、C 3～C 40的烷基甲硅烷基、C 6～C 60的芳基甲硅烷基、C 1～C 40的烷基硼基、C 6～C 60的芳基硼基、C 6～C 60的芳基亚膦基、C 6～C 60的单或二芳基膦基及C 6～C 60的芳基胺基中的任一种；或者，与相邻的基团结合形成缩合环； R 3选自取代或未取代的杂环基和稠杂环基中的任一种。

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