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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2022-09-16
公开（公告）日：2023-03-14
公开（公告）号：CN115792547A
专利技术分类：.单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）[2020.01]
专利摘要：本公开提供了一种测试电路、测试方法及测试设备，涉及半导体技术领域，所述测试电路包括环形振荡电路和若干个测试单元；所述环形振荡电路包括依次级联并形成环形回路的多个逻辑门单元；所述测试单元包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的共接栅极与所述逻辑门单元的输入端连接，第一晶体管的源极与第一接地端连接，第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接，第一晶体管的衬底端或第二晶体管的衬底端与衬偏电压源连接，第二晶体管的源极与第一电源连接，衬偏电压源用于在所述逻辑门单元的输入端发生电平翻转时，为第一晶体管的衬底端或第二晶体管的衬底端提供衬偏电压。本公开可以准确测量出测试单元中晶体管的驱动电流。
专利权项：1.一种测试电路，其特征在于，包括环形振荡电路和若干个测试单元；所述环形振荡电路包括依次级联并形成环形回路的多个逻辑门单元；所述测试单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道类型不同，所述第一晶体管和所述第二晶体管的共接栅极与所述逻辑门单元的输入端连接，所述第一晶体管的源极与第一接地端连接，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的衬底端或所述第二晶体管的衬底端与衬偏电压源连接，所述第二晶体管的源极与第一电源连接，所述衬偏电压源用于在所述逻辑门单元的输入端发生电平翻转时，为所述第一晶体管的衬底端或所述第二晶体管的衬底端提供衬偏电压，以调节所述第一晶体管或所述第二晶体管的阈值电压。
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 测试电路、测试方法及测试设备
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