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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2023-04-25
公开（公告）号：CN116005254A
专利技术分类：.外延层生长[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种外延生长方法及外延硅片，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室和位于所述反应腔室内的基座，所述外延生长方法包括：将抛光后的硅片放置在所述基座上；利用硅源气体在抛光后的硅片上依次沉积预制层和外延层，使得所述预制层的致密度高于所述外延层的致密度。本发明的技术方案能够抑制或防止重掺衬底中的杂质向外延层的扩散，减小重掺外延片的过渡区宽度。
专利权项：1.一种外延生长方法，其特征在于，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室和位于所述反应腔室内的基座，所述外延生长方法包括：将抛光后的硅片放置在所述基座上；利用硅源气体在抛光后的硅片上依次沉积预制层和外延层，使得所述预制层的致密度高于所述外延层的致密度。
百度查询： 西安奕斯伟材料科技有限公司 西安奕斯伟硅片技术有限公司 外延生长方法及外延硅片
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