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申请/专利权人：江苏华创微系统有限公司

申请日：2022-12-29

公开（公告）日：2023-05-16

公开（公告）号：CN116126665A

专利技术分类：..计算机功效的记录或统计测定，例如，故障停机时间的、输入/输出操作的[2006.01]

专利摘要：本发明公开一种利用DDR参数建模进行DDR调试的方法，包括如下步骤，S1、参数查找及输入；S2、生成所有时序参数；S3、导入Python调试工具；S4、芯片上电，运行Python调试工具并查看配置结果；S5、启动DDR训练；S6、DDR训练没通过，重复步骤S5；训练通过进入S7；S7、启动DDR自检；S8、DDR自检正常DDR调试完成；DDR自检出错，返回S4,开始重复S4‑S7。优点：本发明，参数建模工具更通用，更便捷，不需要安装任何软件，不受到进口或国产颗粒的限制；操作简单；python调试工具可以直观显示参数的配置状态，在线方式单步对DDR参数进行修改调试，完成各种DDR物理层PHY训练并进行自检的读写测试。

专利权项：1.一种利用DDR参数建模进行DDR调试的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、参数查找及输入；S2、建模工具生成所有时序参数；S3、S2中生成的所有时序参数导入Python调试工具；S4、芯片上电，运行Python调试工具；S2中生成的所有时序参数借助于Python调试工具进行自动配置芯片DDR时序参数；当DDR物理层PHY初始化完成，并且外部内存颗粒DRAM初始化完成，则表示配置结束；并查看配置结果；S5、当DDR物理层链路状态寄存器显示正确后，表示配置结束，Python调试工具启动DDR训练；当DDR内的写均衡WL、数据选通门信号DQS、写均衡调整WLA，数据读训练RD，数据写训练WD、写眼图RE、写眼图WE和静态读数据SDD均显示训练完成，则表示训练通过；反之，则训练没通过；S6、DDR训练没通过，重复步骤S5；训练通过进入S7；S7、Python调试工具启动DDR自检；当DDR内的物理层数据自检PHYDataBIST、控制器层数据自检CTRLDataBIST、物理层地址自检PHYAddressBIST和控制器层地址自检CTRLAddressBIST均显示通过，则表示DDR自检正常；反之，则表示DDR自检出错；S8、当DDR自检正常，则DDR调试完成；当DDR自检出错，则返回步骤S4,开始重复步骤S4-S7。

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