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申请/专利权人：成都沃特塞恩电子技术有限公司
申请日：2023-03-07
公开（公告）日：2023-05-30
公开（公告）号：CN116180057A
专利技术分类：...采用微波放电[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种MPCVD系统，属于等离子体化学气相沉积技术领域，上述系统包括机架、微波源、波导管、腔体及样品台组件，上述腔体为竖直设置的圆筒状结构，其第一端与机架连接，第二端与波导管连接，波导管水平设置。样品台组件设置在腔体内，其下端与机架固定连接，上端位于腔体内腔中部偏下位置，样品台组件上端用于放置样品基片。实验表明，上述改进后的沉积设备，其等离子体球更加扁平，即样品基片附近的电场更强，从而提高了沉积效率。
专利权项：1.一种MPCVD系统，其特征在于，包括机架、微波源、波导管、腔体及样品台组件；所述腔体的第一端与所述机架连接，第二端设置有石英板，所述石英板上设置有第一放电环；所述样品台组件设置在所述腔体内，并与所述机架连接，所述样品台组件上设置有第二放电环；所述第一放电环与所述第二放电环之间的距离为D，0.5λ≤D≤λ，λ为微波波长。
百度查询： 成都沃特塞恩电子技术有限公司 一种MPCVD系统
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