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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2023-02-15
公开（公告）日：2023-06-20
公开（公告）号：CN116265600A
专利技术分类：..金属材料、硼或硅[2006.01]
专利摘要：一种沉积装置，包括一磁屏蔽。磁屏蔽减少腔室中的外部噪声，腔室包括标靶以及至少一电磁铁用于铜物理气相沉积。屏蔽可具有厚度，在大约0.1毫米至大约10毫米的范围内，以提供足够的保护免受射频以及其他电磁信号的影响。因此，腔室中的铜原子遭受较少来自外部噪声的重定向。此外，即使在物理气相沉积期间发生硬件故障例如，电磁铁失灵、晶圆台不水平、以及或一流量优化器引起过多偏移等，铜原子不易受来自外部噪声的小重定向的影响。因此，后段工艺以及或中段工艺的导电结构以更一致的方式形成，这增加导电性并且改善包括后段工艺以及或中段工艺的导电结构的电子装置的寿命。
专利权项：1.一种沉积装置，包括：一腔室，包括至少一电磁铁以及至少一流量优化器，配置以将铜离子从一铜标靶引导至一晶圆上；以及一磁屏蔽，邻近于该腔室，并且配置以在该腔室内减少电磁噪声。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 沉积装置、沉积方法、以及沉积系统
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