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申请/专利权人：深圳技术大学
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射装置中用于制作HFET的掩膜组件。掩膜组件的支架上设有至少两个安装位，安装位包括外沉台和内沉台，内沉台设于外沉台之中，内沉台用于固定放置涂有银浆的衬底并且内沉台尺寸与衬底尺寸一致，外沉台用于固定放置图形掩膜板，图形掩膜板上设有若干溅射孔，同一个图形掩膜板上的溅射孔的形状大小相同，不同图形掩膜板上的溅射孔形状或大小不同；图形掩膜板放置于外沉台时，溅射孔对应于内沉台中的衬底。本实用新型可以在磁控溅射时同时完成几种不同异质结宽度器件的镀膜，最终可获得不同异质结结构的HFET，方便了同种工艺形成的不同结构器件之间的性能比较，同时节约了镀膜所耗费的时间和资源。
主权项：1.一种磁控溅射装置中用于制作HFET的掩膜组件，其特征在于，其包括圆板型支架及一组图形掩膜板，所述支架用于固定在磁控溅射装置的样品台上，所述支架上设有至少两个安装位，所述安装位包括外沉台和内沉台，所述内沉台设于外沉台之中，所述内沉台用于固定放置涂有银浆的衬底并且内沉台的尺寸与衬底尺寸一致，所述外沉台用于固定放置图形掩膜板，所述图形掩膜板上设有若干溅射孔，同一个图形掩膜板上的溅射孔的形状大小相同，不同图形掩膜板上的溅射孔形状或大小不同；所述图形掩膜板放置于所述外沉台时，所述溅射孔对应于所述内沉台中的衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳技术大学 一种磁控溅射装置中用于制作HFET的掩膜组件
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