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凸点的制作方法 

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申请/专利权人:长电集成电路(绍兴)有限公司

摘要:本发明涉及一种凸点的制作方法,涉及半导体封装技术领域,该凸点的制作方法中,由于形成的填充层将半导体结构的边缘区域填平,使边缘区域在第一方向上的厚度与中间区域的厚度平齐,再在半导体结构的一侧形成导电材料层时,由于不存在台阶,所以导电材料层可以实现全覆盖,不再出现断连的情况,此时将电镀端子搭接在导电材料层一侧,就可以在半导体结构上电镀凸点,这种电镀凸点的方法可以保证凸点的形成,提高了半导体结构的成品率。

主权项:1.一种凸点的制作方法,其特征在于,所述凸点制作方法包括:提供一半导体结构,所述半导体结构包括中间区域与边缘区域;在第一方向上,所述中间区域的厚度大于所述边缘区域的厚度,所述第一方向垂直于所述半导体结构;在所述半导体结构的一侧形成填充层,所述填充层填平所述边缘区域;形成覆盖所述中间区域与所述填充层的导电材料层;将电镀端子搭接在所述导电材料层一侧,在所述导电材料层背离所述半导体结构的一侧电镀凸点。

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权利要求:

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